半导体行业芯片封装与测试的工艺流程

封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户

DB就是DIE

bond(

焊DIE，即是将芯片焊在极片leadframe上的意思，WB就是wire

bond,

即是焊线，从芯片上的焊线区域连接到leadframe上。

半导体工艺涂完胶不能立马显影是因为需要曝光过程。根据查询相关公开信息显示，光刻工艺是半导体元件制作中的常用工艺，通过在半导体基片(如硅晶圆)表面涂敷一定厚度的光刻胶，然后进行曝光，才能显影，以对基片表面的材料做图形化处理。

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