现在来说MOS管分为几大系列:美系、日系、韩系、台系、国产。
美系:IR ST 仙童 安森美 TI PI 英飞凌;
日系:东芝 瑞萨 新电元;
韩系:KEC AUK 美格纳 森名浩 威士顿 信安 KIA;
台系:APEC CET ;
国产:吉林华微 士兰微 华润华晶 东光微 深爱半导体。
扩展资料
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能;这样的器件被认为是对称的。
场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化;FET的增益等于它transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影
一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。
这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon(外在硅),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。
金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。
MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位。
这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小。
参考资料:mos管.百度百科
1、Motorola--摩托罗拉公司(Motorola Inc )。原名:Galvin Manufacturing Corporation,成立于1928年。1947年,改名为Motorola,从1930年代开始作为商标使用。总部设在美国伊利诺伊州绍姆堡,位于芝加哥市郊。世界财富百强企业之一,是全球芯片制造、电子通讯的领导者。2、National Semiconductor(NS)--美国国家半导体。公司将真实世界的模拟技术和完美工艺的数字技术相结合,专注基于模拟技术的半导体产品,包括电源管理、图像技术、显示驱动器、音频、放大器和数据转换等领域的独立元件和子系统。
3、ST Microelectronics--意法半导体。是全球最大的半导体公司之一,2010 年净收入 103.5 亿美元,2011 年第二季度净收入 25.7亿美元。 以业内最广泛的产品组合著称,凭借多元化的技术、尖端的设计能力、知识产权组合、合作伙伴战略和高效的制造能力,意法半导体以创新的半导体解决方案为不同的电子应用领域的客户提供服务。
4、Siemens--西门子。德国西门子股份公司创立于1847年,是全球电子电气工程领域的领先企业。
5、Microsemi,Microsemi Corporation,总部设于加利福尼亚州尔湾市,是一家领先的高性能模拟和混合信号集成电路及高可靠性半导体设计商、制造商和营销商。
6、SGS Thomson Microelectronics--汤姆森微电子。汤姆逊是法国最大的国家企业集团,位居全球第四大的消费类电子生产商。 汤姆逊为全球四大消费电子类生产商之一。
7、ON Semiconductor--安森美半导体,主要生产宽带数据应用IC、电源管理模拟IC、低压功率晶体管等。
8、Central Semiconducto--美国中央半导体。公司成立于1974年,主要提供多种超小型贴片封装和低功耗 的分立半导体器件。将推出一系列超小封装二极管,晶体管,肖特基整流器,新一代小信号场效应管低,全新400V晶闸管 (SCR)。Central还将推出SOT-883L 和SOT-923封装的小信号晶体管。
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