三星公布最新半导体工艺路线图:2020年推进4nm!
“我们的路线图充满希望和野心,因为三星不单单只是计划这些新的工艺制程,而是在这些时间点上真的能够实现预定的计划”三星市场高级总监Kelvin Low如此说道。
三星公布最新半导体工艺路线图:2020年推进4nm!
根据三星的计划,在未来三年内也就是2017年至2020年,三星半导体的工艺制程将一步一个脚步的前进。比如今年试产8nm工艺,2018年量产7nm工艺,2019年则成功研发6nm以及5nm工艺,至于2020年,三星希望直接将工艺制程推进至4nm。
目前三星还称自己的晶圆厂所使用的光刻机已经可以达到每天1000片晶圆的产量,而未来三星希望将产量提升50%至1500片。同时三星还宣布将会在2018年引进最先进的EUV光刻机加入到晶圆的制造中来。
中韩通讯社 韩国金禅子
三星电子8月30日表示,建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。
三星电子表示,“以量产D-RAM产品为起点,平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线,成为高 科技 综合生产工厂,为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。
为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求,三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线,并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后,开始投资建造平泽2号工厂。
继平泽1号工厂之后,预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人,包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内,共将创造3万多个就业岗位。
平泽1号工厂从2015年动工,占地289万平方米,2017年6月投产。
平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示,这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度,是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。
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