半导体——元素半导体(IV四价,Si Ge),化合物半导体(V,III三价五价;IV)
单晶——空间晶格——BCC,SC,FCC晶格类型——晶格结构/晶格尺寸(晶格常数)——原子体密度(计算方法见示例)——晶面和米勒指数——最近间距,原子的面密度——Si的金刚石结构
为什么原子集合倾向于特定的晶格结构:热平衡系统的总能量趋于达到某个最小值。
原子间的相互作用可以用量子力学描述
原子价键(最外层电子)
离子键——共价键——金属键——范德华键(电偶极子)
固体中的缺陷和杂质——很大程度上影响电学性能
固有缺陷——热振动(热能——温度的函数)
点缺陷:空位缺陷,填隙缺陷,弗仑克尔缺陷(空位和填隙离得很近)
线缺陷:
杂质:替位杂质,填隙杂质
掺杂:杂质扩撒,离子注入。
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