半导体功率器件静态参数测试仪系统 & 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。

测试种类覆盖7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）

控制极/栅极电压40V，栅极电流10mA

分辨率最高至1mV / 1nA，精度最高可至0.5%

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”

第一部分：规格&环境

1.1、 产品信息

产品型号：DCT2000

产品名称：半导体功率器件静态参数测试仪系统

1.2、 物理规格

主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)

主机重量：＜35kg

1.3、 电气环境

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超过4000m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

第二部分：应用场景和产品特点

一、应用场景

1、 测试分析 （功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪）

2、 失效分析 （对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案）

3、 选型配对 （在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）

4、 来料检验 （研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）

5、 量产测试 （可连接机械手、扫码q、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）

6、 替代进口 （DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品）

二、产品特点

1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配；

2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配；

3、驱动电压10mV~40V

4、控制极电流10uA~10mA；

5、16位ADC，100K/S采样速率；

6、自动识别器件极性NPN/PNP

7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确

8、通过RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验

9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）

10、半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）；

11、半导体功率器件静态参数测试仪系统能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ）

12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss；

13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置；

14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机最高效率1h/9000个；

15、半导体功率器件静态参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用；

第三部分：产品介绍

3.1、产品介绍

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件静态参数测试仪系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“半导体功率器件静态参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

半导体功率器件静态参数测试仪系统脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率最高至1mV / 30pA，精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。

产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

半导体功率器件静态参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让 *** 作人员在夹具上实现一点即测。 *** 作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。

3.2、人机界面（DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统）

第四部分：功能配置

4.1、 配置选项

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的功能配置如下

4.2、 适配器选型

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的适配器有如下

4.3、 测试种类及参数

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的测试种类和参数如下

(1)二极管类：二极管  Diode

Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；

(2)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；

(3)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；

(4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode）

Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；

(5)二极管类：瞬态二极管  TVS

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；

(6)二极管类：整流桥堆

Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；

(7)二极管类：三相整流桥堆

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；

(8)三极管类：三极管

Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process；

(9) 三极管类：双向可控硅

Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；

(10)三极管类：单向可控硅

Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；

(11)三极管类：MOSFET

Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；

(12)三极管类：双MOSFET

Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；

(13)三极管类：JFET

Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；

(14)三极管类：IGBT

Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；

(15)三极管类：三端开关功率驱动器

Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；

(16)三极管类：七端半桥驱动器

Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；

(17)三极管类：高边功率开关

Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；

(18)保护类：压敏电阻

Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr

(19)保护类：单组电压保护器

Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(20)保护类：双组电压保护器

Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(21)稳压集成类：三端稳压器

Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；

(22)稳压集成类：基准IC（TL431）

Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；

(23)稳压集成类：四端稳压

Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；

(24)稳压集成类：开关稳压集成器

选配；

(25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）；

(26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；

(27)传感监测类：

电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）；

霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）；

电压监控器（选配）；

电压复位IC（选配）；

曲线追踪仪

第五部分：性能指标

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的性能指标如下

5. 1 、 电流/电压源 （ VIS ） 自带VI测量单元

（1）加压(FV)

量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV

量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV

量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV

量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV

量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV

（2）加流(FI)

量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA

量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA

量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA

量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA

量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA

量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA

量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA

说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调

（3）电流测量(MI)

量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

（4）电压测量(MV)

量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

5. 2 、 数据采集部分 （ VM ）

16位ADC，100K/S采样速率

（1）电压测量(MV)

量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV

量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV

量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV

量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV

量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV

量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV

（2）漏电流测量(MI)

量程±100mA分辨率30uA精度±0.2%读数值±100uA

量程±10mA分辨率3uA精度±0.1%读数值±3uA

量程±1mA分辨率300nA精度±0.1%读数值±300nA

量程±100uA分辨率30nA精度±0.1%读数值±100nA

量程±10uA分辨率3nA精度±0.1%读数值±20nA

量程±1uA 分辨率300pA精度±0.5%读数值±5nA

量程±100nA分辨率30pA精度±0.5%读数值±0.5nA

（3）电容容量测量(MC)

量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

5. 3 、 高压源 （ HVS ） (基本)12位DAC

（1）加压(FV)

量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV

量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV

（2）加流(FI)：

量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA

量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA

量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA

量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA

量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA

DCT2000 半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测很多电子元器件 （ 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ） 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....

1、TR1：在概念阶段CDCP前针对产品包需求和产品概念的评审。TR1重点关注产品包需求的完备性以及选择的产品概念是否满足产品包需求。

2、TR2：在计划阶段对产品设计规格的评审。TR2重点关注产品设计需求到产品设计规格的完备性。

3、TR3：在计划阶段对概要设计（HLD）的评审，确保设计规格已经完全、正确地在概要设计中得到体现。TR3的结果将作为开发阶段的后续详细设计活动是否继续投入资源的根据。

4、TR4：保证BuildingBlock用于系统级构建之前是完整的。对于一次构建（Build）涉及到的每一个BuildingBlock，应该有且仅有一次TR4对其进行评审。任何不符合规定的情况都应该在TR4问题记录中得到记录，并进行风险评估。

5、TR4A：在SDV完成后，对产品技术上的成熟度进行评估，确保所有存在的问题和风险都进行了评估，并生成了相应的改进计划，以保证供应和制造能力足以支撑初始产品生产活动。

6、TR5：在发布给客户前对项目整体状态在设计稳定性和技术成熟度方面的独立评估活动。TR5目的是确保产品符合预定的功能和性能要求，以满足前期确定的产品包需求。

7、TR6：是一个关注于系统级的评审，确保产品的制造能力已经能适应全球范围内发货的需求。

IPDTR（TechnicalReview）是指IPD流程中定义的TR1、TR2、TR3、TR4、TR4A、TR5、TR6等7个技术评审点。用于检查IPD实施到一定阶段以后产品的技术成熟度，发现遗留的技术问题，评估存在的技术风险，给出技术上的 *** 作建议。

扩展资料

TR2到TR4，对应测试设计阶段，主要任务是完成测试前期设计，包括测试方案设计和测试用例设计两个阶段。TR4到TR6阶段，是测试执行阶段。这是整个产品测试生命周期中持续时间最长，投入最大的阶段。

TR4之前所有的测试工作，像测试计划，测试策略和测试设计都将在这个阶段接受检验。从这个时候起，产品测试团队的作用明显的体现出来——测试团队的工作直接决定了产品的进度和质量，一个优秀的测试团队将是高质量产品的最佳保障。

IPD流程对一个产品包从概念到生命周期管理阶段结束所需所有流程的主要活动进行管理。流程分为6个阶段：概念、计划、开发、验证、发布和生命周期。DCP标志着大多数阶段的结束。在每个DCP，提出继续前进或终止项目或重新确定方向的建议。

1、概念阶段

目的是保证PDT根据项目任务书，对市场机会、需求、质量、潜在的技术和制造方法/风险，成本/进度预测和财务影响进行（概要地）评估和归档。概念决策评审点（CDCP）是概念阶段的终点。

2、计划阶段

计划阶段的目的是将产品包/解决方案业务计划扩展成详细的产品包定义，启动对开发方法的正式规划，包括完整的产品定义、开发与制造方法、销售与营销计划、项目管理计划、产品支持计划、详细的进度以及财务分析。

3、开发阶段

包括产品设计、集成和验证、制造工艺设计/实施、性能、技术或构建模块和制造风险评估的各个方面。开发阶段退出是开发阶段的结束，退出的主要标准是成功进行TR5。

4、验证阶段

以成功完成内部测试和向制造发布为起点。包括进行硬件/软件压力测试，标准和规格的一致性测试，以及获得专业认证。验证阶段退出的主要标准是成功进行TR6。

产品线IPMT批准通过可获得性决策评审点（ADCP）或终止项目或重新确定方向。可获得性决策评审是要保证产品包做好发布的准备。

5、发布阶段

该阶段是以决定继续进入到产品包发布和GA开始的。发布阶段包括达到量产的准备，填充管道和制定最终的盈亏计划。一般可获得性（GA）是指产品包可以大批量交付给H3C客户的时间。

6、生命周期阶段

生命周期阶段在GA开始，包括产品生命周期内对产品包营销/销售，生产及服务的监控。在生命周期阶段会出现：停止生产（EOM）检查点，停止销售（EOS）检查点，停止服务与支持（EOL）检查点。当所有与停止服务及支持相关的活动都完成时，生命周期阶段就结束了。

参考资料：中国信息产业网：H3C测试体系和流程管理

TR8001为一高速高效能的检测设备,拥有完善的检测系统,配合快速的程式发展流程及清楚易懂的测试程式,1:1的Driver/Receiver Ratio使用上更为方便,并且通过ISO 9000及 CE 安规认证,提高产品品质及生产直通率之利器.

http://www.shebei114.cn/tradeinfo/offerdetail/39-1050-3358-10085.html

FCT就是Function-CircuitTesting也就是功能测试。

FCT技术员就是电子工程测试(检修)技术员。

ATE是自动化测试设备的英文缩写，是一种通过计算机控制进行器件、电路板和子系统等测试的设备。通过计算机编程取代人工劳动，自动化的完成测试序列。

ATE在60年代早期始于快捷半导体（Fairchild）。 那时Fairchild生产门电路器件（如14管脚双列直插与非门IC）和简单的模拟集成电路器件（如6管脚双列直插运算放大器）。当时对于器件量产测试是一个很大的问题。 Fairchild开发了计算机控制的测试设备，如5000C用于简单模拟器件测试，Sentry 200用于简单门电路器件测试。两种机器都是由Fairchild自主开发的计算机FST2进行控制。FST2是一种简单的24位，10MHz计算机。

70年代早期，器件开发由小规模集成电路过渡到中规模集成电路，又于80年代早期从大规模集成电路过渡到超大规模集成电路。对于器件制造商来说，这时计算机控制的测试系统已经成为主要的测试设备。Fairchild开发了Sentry 400, Sentry 600, Sentry 7, Sentry 8测试系统用于数字器件测试。

80年代中期，门阵列器件开发成功，测试方面要求达到256管脚，速度高于40MHz。

针对这一需求，Fairchild 试图开发Sentry 50，但是失败了。Fairchild将其ATE部门卖给斯伦贝谢，成为斯伦贝谢测试系统公司。Fairchild将测试系统卖给斯伦贝谢以后，许多专家离开了Fairchild加入Genrad，成立了Genrad西海岸系统公司。GR16 和 GR18数字测试系统由这里诞生了。这些新型的测试系统每个管脚有独立的测试资源，管脚数最多达144。不久这些工程师离开Ganrad成立了Trillium测试系统，并将其卖给LTX。之后这些工程师又离开了LTX，他们中的一些加入了科利登（Credence），其它人加入了其他的ATE公司。

同一时期，泰瑞达的自动化测试设备在模拟测试和存储器测试方面占据统治地位。90年代早期Intel开发成功高速、高管脚数的单片处理器单元（MPU），随之而来的是高速高管脚数的ATE。多媒体器件的出现使ATE变得更复杂，需要同时具有数字电路、模拟电路和存储器电路的测试能力，SoC测试系统应运而生。

目前器件速度已经达到1.6GHz，管脚数达到1024，所有的电路都集成到单个芯片。因此出现了真正系统级芯片测试的需求。

ATE可以由带一定内存深度的一组通道，一系列时序发生器及多个电源组成。这些资源是通过负载板把信号激励到芯片插座上的芯片管脚。

ATE可分为以下几种类型：

*数字测试系统—— 共享资源测试系统，每个管脚有独立测试资源的测试系统。用来特性化测试集成电路的逻辑功能。如科利登的SC312和Quartet。

*线性器件测试系统——用来测试线性集成电路的测试系统。

*模拟测试系统——用来特性化测试集成电路的模拟功能。如科利登的ASL系列。

*存储器测试系统 － DRAM 测试系统，闪存测试系统。这些类型的自动化测试设备用于验证内存芯片。如科利登的Personal Kalos和Kalos系列，Agilent 的Versatest系列， Advantest的T5593。

*板测试系统 － 板测试是用来测试整块印制电路板，而不是针对单个集成电路。如泰瑞达的1800。

*混合信号测试系统——这种类型的系统资源用来测试集成电路的模拟及数字功能。 如科利登的Quartet系列。

*RF测试系统——用来测试射频集成电路的测试。如科利登的ASL 3000RF和SZ-Falcon。

*SOC 测试系统——通常就是一个昂贵的混合信号集成电路测试系统，用来测试超大规模集成电路（VLSI）芯片；并且这种超大规模集成电路（VLSI）芯片的集成度比传统的混合信号芯片高得多。如科利登的Octet系列， Agilent的93000系列， Advantest的T6673。

ATE开发是从简单器件、低管脚数、低速测试系统（10 MHz, 64 pins）到中等数量管脚、中速测试系统（40 MHz, 256 pins）到高管脚数、高速（超过100 MHz, 1024 pins）并最终过渡到现在的SoC测试系统（1024 pin, 超过400MHz，并具备模拟、存储器测试能力）。

未来的测试系统测试速度将超过1.6GHz，时序精度在几百纳秒范围内，并将数字、模拟、存储器和RF测试能力集成于一台测试系统。

这样一台测试系统的成本将非常高，因此需要使用一台或多台测试工作台进行并行的器件测试。为了降低测试成本，芯片中将加入自测试电路。同时基于减少测试系统成本的考虑，模块化的测试系统将取代通用的测试系统。

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