AlGaAs技术有哪些特点？

AlGaAs技术在微波行业采用能隙工程生产新型半导体结构已有二十多年的历史。利用多量子阱、超晶格和异质结的各种性质，已制造出由分子束外延法和有机金属化学气相沉积法生长的新型半导体。这些带隙原理已应用于MACOM AlGaAs技术的开发，因此推动了PIN二极管射频性能的大幅提升。

主要优势：与等效的GaAs PIN结构相比，改善了回波损耗、插入损耗和P-1dB指标分立式异质结AlGaAs PIN二极管在10 mA偏流条件下展现了将高频插入损耗降低两倍的性能

砷化铝镓主要应用：

工业、科学和医疗

测试和测量

无线回传

航空航天与国防

GaAlAs（砷铝化镓）是III-V族化合物半导体GaAs和AlAs的混合结晶。通过改变Ga1-xAlxAs中的x，可使能带从2.1eV变为1.4eV

铝砷化镓(GaAlAs)。砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，技术上要求比较高。

---