铜材抛光的方法有哪些？有什么注意事项？

常见铜抛光方法有以下三种，均可达到较理想的效果：1、手工打磨抛光（俗称磨光），即：打砂，打磨轮，过布轮。2、振动抛光（震动抛光），即：粗磨，半精磨，精磨。3、振动化学抛光，即：细磨，加化学抛光药水。因传统的第一种和第二种不但费时且费力，现在详细介绍一下第三种抛光方式及流程：一：选用机型为振动研磨（最好是带变频控制器的）振动研磨机二：选用磨料：（高频瓷或高铝瓷）高频瓷三：选用辅助药水：(铜弱腐蚀剂，铜抛光剂) *** 作步骤如下：1：振动研磨机中加入抛光石，加抛光石的量为振动研磨机的容量的60%，投入产品的量与抛光石的比例为1：2或1：3，用水清洗3-5分钟后，把水放干，机台内只有少量水即可，加入研磨液，研磨液与产品的比例为3KG:100KG，研磨时，铜产品会变为灰色，此时你不必惊慌，这为正常现象，因为药液在对产品进行氧化作用，（其作用为：药水把表面腐蚀后，产品表面会变得比较软，然后再用比较细腻的研磨石把软层轻轻擦掉，这样作循环作用，产品表面就会由粗糙变为平整和细腻，最后就会变为非常细腻及光滑),药液在一定时间内会有持续性的药效，时间大概为：1-2小时，药效过了后，产品表面就会慢慢由灰色变为铜的本色，这时你可以根据你公司的品质要求查看，看是否已经达到了你公司的要求，假如没有的话，清洗干净后你可以继续重复一下以上 *** 作，也就是再磨一次，假如达到了公司要求的，可以继续下一步 *** 作，需冲水，把机台内残留的药液洗干净。

给铜件抛光时，可以先将铜件放入含有抛光石的振动研磨机中，铜和抛光石的比例为1：3或者1：2。接着，用清水清洗3~5分钟之后，加入研磨液，研磨液与铜的比例约为3：100，研磨时间约为1~2小时。

研磨完成后，将铜件拿出，把振动研磨机中的药液冲洗干净后，再放入抛光液和铜件。二者的比例为100：1，抛光时间约为40分钟左右，这时的铜件表面会呈现明亮的光泽，对铜件进行电镀以及其他清理处理，使用干净的棉布沾上适量的清水，将其表面进行擦拭一遍。然后，对铜件表层进行抗氧化处理，把它放置在干燥通风的地方，使其自然晾干即可。

一般情况下，ND<NC或NA <NV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费米能级位于价带之中或与价带重合。

选取EF = EC为简并化条件，得到简并时最小施主杂质浓度：

选取EF = Ev为简并化条件，得到简并时最小受主杂质浓度：

半导体发生简并时：

（1）ND ≥ NC；NA ≥ NV；

（2）ΔED越小，简并所需杂质浓度越小。

（3）简并时施主或受主没有充分电离。

（4）发生杂质带导电，杂质电离能减小，禁带宽度变窄。

扩展资料

半导体芯片的制造过程可以分为沙子原料（石英）、硅锭、晶圆、光刻，蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。

1、沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25%的硅元素，以二氧化硅（SiO2）的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。

2、硅熔炼：12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅（EGS），平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭。

3、单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999%。

4、硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆（Wafer）。

5、晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。

6、光刻胶（Photo Resist）：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。

7、光刻：光刻胶层随后透过掩模（Mask）被曝光在紫外线（UV）之下，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。

8、溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。

9、蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。

10、清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。

再次光刻胶：再次浇上光刻胶（蓝色部分），然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。

11、离子注入（Ion Implantation）：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射（注入）固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。

12、清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域（绿色部分）也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。

13、晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材（品红色）上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。

14、电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极（阳极）走向负极（阴极）。

15、铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。

16、抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。

17、金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。

18、晶圆测试：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。

19、晶圆切片（Slicing）：晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是芯片的内核（Die）。

20、丢弃瑕疵内核：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步

21、封装

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-简并半导体

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