高压电缆头制作,外半导体层怎样剥除。

先顺着电缆的方向将半导体用裁纸刀轻划，使半导体分成三部分，在用喷q火加热一下，在一部分一部分的剥下，可以容易一些。

此外，外半导电层剥皮器适用于XLPE高压电缆的外半导电层剥除使用，不是“利用电工刀将半导体层纵向切成若干条，并逐条割除”很容易伤及绝缘。外半导电层剥皮器国内很易购买到。

扩展资料：

电缆剥除器的使用介绍

一、电缆主绝缘层剥除器

25-240mm235KV以下电缆主绝缘层的剥除。切入角度可调，切削速度快、体积小，可在小空间内自由 *** 作。

二、电缆外半导体层剥除器

适用于25-800mm2 10KV，25-240mm2 35KV以下，直径10-50mm电缆外半导体层剥除，剥切半导体层厚度01.-1.4mm，可从末端剥除，也可从中间剥除。

三、电缆外护套剥除器

适用于直径25mm以上高低电缆外护套剥除，方便寒冷气候，外护套坚硬如铁情况下轻松剥除。

参考资料：

百度百科——电缆剥除器

硅的主要来源是石英砂（二氧化硅），硅元素和氧元素通过共价键连接在一起。因此需要将氧元素从二氧化硅中分离出来，换句话说就是要将硅还原出来，采用的方法是将二氧化硅和碳元素（可以用煤、焦炭和木屑等）一起在电弧炉中加热至2100°C左右，这时碳就会将硅还原出来。化学反应方程式为：SiO2 (s) + 2C (s) = Si (s) + 2CO (g)（吸热）

（2）

上一步骤中得到的硅中仍有大约2%的杂质，称为冶金级硅，其纯度与半导体工业要求的相差甚远，因此还需要进一步提纯。方法则是在流化床反应器中混合冶金级硅和氯化氢气体，最后得到沸点仅有31°C的三氯化硅。化学反应方程式为：Si (s) + 3HCl (g) = SiHCl3 (g) + H2 (g)（放热）

(3）

随后将三氯化硅和氢气的混合物蒸馏后再和加热到1100°C的硅棒一起通过气相沉积反应炉中，从而除去氢气，同时析出固态的硅，击碎后便成为块状多晶硅。这样就可以得到纯度为99.9999999%的硅，换句话说，也就是平均十亿个硅原子中才有一个杂质原子。

（4）

进行到目前为止，半导体硅晶体对于芯片制造来说还是太小，因此需要把块状多晶硅放入坩埚内加热到1440°C以再次熔化 。为了防止硅在高温下被氧化，坩埚会被抽成真空并注入惰性气体氩气。之后用纯度99.7%的钨丝悬挂硅晶种探入熔融硅中，晶体成长时，以2~20转/分钟的转速及3~10毫米/分钟的速率缓慢从熔液中拉出：

探入晶体“种子”

长出了所谓的“肩部”

长出了所谓的“身体”

这样一段时间之后就会得到一根纯度极高的硅晶棒，理论上最大直径可达45厘米，最大长度为3米。

以上所简述的硅晶棒制造方法被称为切克劳斯法（Czochralski process，也称为柴氏长晶法），此种方法因成本较低而被广泛采用，除此之外，还有V-布里奇曼法（Vertikalern Bridgman process）和浮动区法（floating zone process）都可以用来制造单晶硅。