轻掺杂漏区（Lightly Doped Drain，LDD）结构，是MOSFET为了减弱漏区电场、以改进热电子退化效应所采取的一种结构（见图示）。即是在沟道中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区，让该低掺杂的漏区也承受部分电压，这种结构可防止热电子退化效应。实际上，现在这种结构已经成为了大规模集成电路中MOSFET的基本结构。
早期在笔记本计算机上使用现在大量用在手机~MP3~MP4~等电子产品上~!TFT LCD技术是微电子技术和LCD技术巧妙结合的高新技术。利用微电子精细加工技术和Si材料处理技术，开发大面积玻璃基板上生长Si材料和TFT平面阵列的工艺技术，与日益成熟的LCD制作技术相结合，不断提高产品的显示品质，增强自动化大规模生产能力，大幅度地提高产量，提高合格率，降低成本，性能/价格比向CRT接近。
---- 在显示品质方面，以分辨率为例，由CGA（320×200）、VGA（640×480）、SVGA（800×600）、XGA（1024×768）、SXGA（1280×1024）到UXGA（1600×1200），大约7年时间。图1表示TFT LCD分辨率发展速度，基本符合摩尔定律。说明TFT LCD发展速度和计算机芯片发展速度一致，这正是TFT LCD与计算机适配性和发展速度的同步性。
---- 表1 各种引线技术
最小间隙（μm） 分辨率（线/英寸） 成本（美元/块）
COB 280 100 380
TAB 170 150 190
COG 60 400 110
集成技术 25 1000 30
---- 为进一步提高TFT LCD分辨率，要减小TFT尺寸，并保证开口率，同时涉及到引线技术的有限性。表1列出当前采用各种引线技术的引线密度。为了解决高分辨率显示，只好采用p-Si材料，把周边驱动的电路集成到屏上。高温多晶硅技术已实现周边驱动电路集成到LCD屏上，应用于投影显示。但多晶硅生产温度高于1000℃，衬底用石英基板，石英板成本高。因此，人们研究开发在玻璃衬底上生长低温p-Si技术，有低压PECVD技术可在玻璃衬底上生长p-Si，还有把a-Si材料重结晶成p-Si，如有金属诱导生长法和激光退火法。当前，低温p-Si TFT LCD的大规模生产，主要采用XeCl准分子激光退火（ELA）技术。用PECVD法在400×500mm2玻璃基板上生长50nm厚度a-Si薄膜，用激光退火重结晶得到如图2所示的p-Si晶粒[1]，图中照片表示不同晶粒大小的扫描电镜形貌。晶粒小于0.3μm时，迁移率与晶粒大小很密切，大于0.3μm开始，空穴迁移率几乎不变，这表明在ELA过程中形成的浅能级陷阱束缚空穴。电子迁移率晶粒尺寸变大，缓慢增加，迁移率为100～200cm2/vs。为了得到均匀的TFT开关特性，p-Si晶粒尺寸控制在1μm左右。
---- 图3表示C-MOS结构周边驱动集成电路的n沟道和p沟道p-Si TFT断面图。在玻璃衬底上涂SiN/SiO2层，防止玻璃中碱金属浸入到Si有源层，低电阻合金作为栅极和栅线。防止ELA过程中融蚀a-Si层，在a-Si中H浓度控制在1原子%左右。在n沟道TFT中采用轻掺杂漏极（LDD）结构改善了可靠性和降低暗电流。图4给出n沟道和p沟道TFT I-V特性。沟道宽度（W）和长度（L）分别为9μm和4.5μm，电子和空穴迁移率分别为μn=236cm2/vs和μp=120cm2/vs,阈
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