温度升高时,p型半导体中的什么增多？

这个问题需要根据不同情况来考虑首先是处于低温弱电离区0～100k的区间，这个区间内半导体的本征激发很小，p型半导体内部的空穴主要由三族元素电离产生，本征激发可忽略不计，随着温度升高，杂质的电离率快速增大，电离的空穴快速增加，因此在这个区间温度升高p型半导体中增多的主要是空穴浓度。温度继续升高来到了100～500k区间，在这个区间中轻掺的杂质基本已经全部电离，因此随着温度升高电离空穴浓度基本不发生变化，而在这个温度区间半导体的本征激发还是很小，因此可以忽略不计，因此在强电离区，随着温度的升高多少载流子（空穴）的浓度基本不发生变化。最后是T>500k的区间，此时本征激发的电子和空穴浓度迅速上升，占据主要地位，随着温度的升高，电子和空穴的浓度都迅速增大

热敏性。热敏性拼音： [rè mǐn xìng] 基本解释： 当外界温度升高时，半导体导电能力增加，当外界温度降低时，半导体导电能力降低。半导体的这种特性叫热敏性。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面：热敏性半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。光电特性很多半导体材料对光十分敏感。无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。 搀杂特性纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

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