半导体器件的特征尺寸是指什么？

在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。一般来说，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，性能越好，功耗越低。

特征尺寸（沟道长度）的缩小虽然有明显的好处，但是也会带来一系列负面效应，统称为“短沟道效应”。例如，场效应管强调的是栅极电压的控制作用，但是在沟道短到一定程度时，源与漏之间会存在漏电流，即使撤掉了栅极电压，也可能关不断MOS管。

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半导体器件（semiconductor device）通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。

三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。

根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外。

还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。

此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。

随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战等系统中已得到广泛的应用。

参考资料来源：百度百科-特征尺寸

离子注入固体中，它与固体的原子发生碰撞，如果固体是无定形的，那么，组成固体的原子在空间是无规则分布的，因而离子与靶原子的碰撞是随机的，碰撞参数P的大小是个随机参数。

如果固体是晶体，则原子在空间规则地排列着，离子沿晶体的主晶轴方向注入时，它们可能与晶格原子发生相类似的碰撞（碰撞参数P近似相等），各个碰撞互相有关，每次碰撞时，离子运动偏转很小，离子经过晶格同一排原子附近，可以穿透入固体中较深的距离，这种现象称为沟道效应。

扩展资料：

事实上，即使一个完全对准的入射束（ψ=0），其中也只有95~99%的粒子为沟道束，另外还有可能与晶格原子作用的1~5%的粒子为随机束。

当沟道束进一步穿透晶体时，由于晶体的不完整性、晶格原子的热振动以及原子核和核外电子引起的多次散射等原因，在散射角积累到大于临界角后，即部分地转变为随机束，致使随机束成分增加而沟道束成分减少。