为什么高温下半导体器件无法正常工作

一般半导体器件中的载流子主要来源于杂质电子，而将本证激发忽略不计。在本证载流子浓度没有超过杂志电离所提供的载流子浓度范围时，若杂质全部电离，载流子的浓度是一定的，器件就能稳定工作。随着温度升高，通过本证激发出来的载流子大量增加，当温度足够高时，本证激发占主导地位，器件就不能正常工作。因此每种半导体器件都有一定的极限工作温度。所以高温下半导体器件无法正常工作。

高温反偏试验HTRB，主要是考核器件的高温长期耐受性和寿命预测。在高温下施加反压的结果，更容易曝露出器件内部的原有缺陷。因此，正常情况下，经过高温反偏试验后的器件，耐压会略有下降。当然如果下降太多，比如低于70%额定电压，那器件就属于不合格了。

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