半导体矽
质量符合半导体器件要求的矽材料。包括多晶矽、单晶矽、矽晶片(包括切片、磨片、抛光片)、外延片、非晶矽薄膜、微晶矽薄膜等。
半导体IP,什么是半导体IP主要是指的关于半导体的专利技术以及非专利的专有技术。
IP核是具有智慧财产权的、功能具体、介面规范的可以在多个积体电路中重复使用的功能模组,是实现系统晶片的基本构件。 你可以简单理解为设计完善的功能模组。(而这里的【设计】是根据完善程度有不同的形式,可分为三类:软核、固核、硬核)
软核:理解为【程式程式码】,是用硬体描述语言实现对功能模组进行描述(比如用VHDL编写的一个触发器,是文字形式),不包含任何物理实现资讯。(软核特点是对使用者来讲可移植性强、设计周期短、成本低。缺点是物理实现效能不定不全面,产权保护不佳)
固核:除了实现功能模组的程式程式码之外,还包括门级电路综合和时序模拟等设计环节,一般是以门级电路网表的形式提供给使用者。固核可以理解为是不仅包括软核程式程式码,还包括【程式设计师模组设计意图与硬体物理实现之间的规则】。
硬核:基于物理描述,并且已经通过工艺验证可行的,效能有保证。是以电路物理结构掩模版图和全套工艺档案的形式提供给使用者(晶片生产厂家)的。
半导体IP是semiconductor Intelligence Properties 半导体相关的智慧财产权,半导体的智慧财产权
NXP半导体,什么是NXP半导体
恩智浦,全球有名的半导体公司,在多个领域都有作为,比如汽车电子,手机基站,智慧识别,机顶盒等。
什么是半导体,p型半导体,n型半导体锗、矽、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体。
把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊效能的薄层,一般称此薄层为PN接面。图中上部分为P型半导体和N型半导体介面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN接面的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN接面的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
什么是半导体?半导体导电吗?半导体是指导电能力介于金属和绝缘体之间的固体材料。按内部电子结构区分,半导体与绝缘体相似,它们所含的价电子数恰好能填满价带,并由禁带和上面的导带隔开。半导体与绝缘体的区别是禁带较窄(这就是关键!现在很多曾经被划分为绝缘体的材料也逐渐向半导体一侧靠拢,就是因为现在的技术发展了,我们有更多的手段使价带电子越过禁带激发到到带。比如现在所谓的“宽禁带半导体”),在2~3电子伏以下(这个数字现在已经不确定了)。 典型的半导体是以共价键结合为主的,比如晶体矽和锗(这是最典型的半导体材料,尤其是矽,是现在的主力!)。半导体靠导带中的电子或价带中的空穴导电(“导带中的电子或价带中的空穴导电”,注意这句话。所谓空穴,其实就是电子离开后留下的一个空位,是一个等效概念,为了研究方便,实际中是不存在的,其根本仍旧是电子)。它的导电性一般通过掺入杂质原子取代原来的原子来控制。掺入的原子如果比原来的原子多一个价电子,则产生电子导电;如果掺入的杂质原子比原来的原子少一个价电子,则产生空穴导电
麻烦采纳,谢谢!
什么是I类半导体,P型半导体和N型半导体我把我知道的写下来吧!
纯净半导体中参入受主杂质后,受主杂质电离,使空穴浓度增加,增强半导体的导电能力,把主要依靠空穴导电的半导体称为P型半导体。 N型半导体同理
半导体封测,什么是半导体封测就是封装测试啊,所有的电子元器件都要封装的,测试就是测试元器件的
汽车半导体,什么是汽车半导体半导体是电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。
半导体室温时电阻率约在10-5~107欧·米之间,温度升高时电阻率指数则减小。
半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
锗和矽是最常用的元素半导体;化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化镓、磷化镓等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
半导体分为本征半导体和杂质半导体。杂质半导体就是我们制作电晶体用的。阁下学将要学电子的吧。半导体顾名思义就是一半是导体,一半是绝缘体.即电流只能从一个方向通过,反向则不能能过.例如:一段铁丝,不论哪个方向接正极都能导电,而半导体是正极接电源正极可以导通,而负极若接电源正级则不能导通,处于绝缘状态。半导体材料一般用矽和锗,多用矽,矽中渗入磷后形成一个PN接面,就可以实现单向导电了。具体应于整流、放大、开关电路中。现在的众多遥控、感测技术都是由开关电路实现了,符合条件了,开关导通,接通相应的电路,而发生相应的动作或功能。
中微半导体,什么是中微半导体1.晶圆行业 做装置 对身体一定会有影响。
2.薪资待遇 要看你做什么装置的(例如 薄膜,光刻,蚀刻,等等不同制程的装置)
还要看你的学历和工作资历。可以谈价钱。
3.面试 这个不好说,一般较大规模的半导体企业都会有 一面 二面 三面,甚至还有笔试。还得看,面试你的是什么人,有的主管喜欢聊专业性问题 有的主管喜欢拉家常。综合起来的话,首先自己要做好准备。英语,基本功(晶圆行业几乎没有汉字) 机械原理 弱电的应用。
我个人面试,当时是两个小时,基本都是行业相关知识和装置异常的解决方案。
祝你好运
充电头网近日从供应链获悉,国产氮化镓快充研发取得重大突破,三大核心芯片实现自主可控,性能达到国际先进水准。
一、氮化镓快充市场规模
氮化镓(gallium nitride,GaN)是下一代半导体材料,其运行速度比旧式传统硅(Si)技术加快了二十倍,并且能够实现高出三倍的功率,用于尖端快速充电器产品时,可以实现远远超过现有产品的性能,在尺寸相同的情况下,输出功率提高了三倍。
也正是得益于这些性能优势,氮化镓在消费类快充电源市场中有着广泛的应用。充电头网统计数据显示,目前已有数十家主流电源厂商开辟了氮化镓快充产品线,推出的氮化镓快充新品多达数百款。华为、小米、OPPO、魅族、三星、中兴、努比亚、魅族、realme、戴尔、联想等多家知名手机/笔电品牌也先后入局。
另有数据显示,在以电商客户为主的充电器市场,2019年氮化镓功率器件出货量约为300万-400万颗,随着手机以及笔记本电脑渗透率进一步提升,2020年将实现5-6倍增长,总体出货1500-2000万颗,2021年GaN器件的出货量有望达到5000万颗。预计2025年全球GaN快充市场规模将达到600多亿元,市场前景异常可观。
二、氮化镓快充的主要芯片
据了解,在氮化镓快充产品的设计中,主要需要用到三颗核心芯片,分别氮化镓控制器、氮化镓功率器件以及快充协议控制器。目前氮化镓功率器件以及快充协议芯片均已陆续实现了国产化;而相比之下,氮化镓控制芯片的研发就成了国产半导体厂商的薄弱的环节,氮化镓控制器主要依赖进口,主动权也一直掌握在进口品牌手中。
这主要是因为GaN功率器件驱动电压范围很窄,VGS对负压敏感,器件开启电压阈值(VGS-th)低1V~2V左右,极易受干扰而误开启。所以相较传统硅器件而言,驱动氮化镓的驱动器和控制器需要解决更多的技术难题。
此外,目前市面上除了少数内置驱动电路的GaN功率器件对外部驱动器要求较低之外,其他大多数GaN功率器件均需要借助外部驱动电路。
没有内置驱动电路而又要保证氮化镓器件可靠的工作并发挥出它的优异性能,除了需要对驱动电路的高速性能和驱动功耗做重点优化,还必须让驱动器精准稳定的输出驱动电压,保障器件正确关闭与开启,同时需要严格控制主回路上因开关产生的负压对GaN器件的影响。
三、全套国产芯片氮化镓快充问世
东莞市瑞亨电子 科技 有限公司近日成功量产了一款65W氮化镓快充充电器,除了1A1C双口以及折叠插脚等常规的配置外,这也是业界首款基于国产氮化镓控制芯片、国产氮化镓功率器件、以及国产快充协议芯片开发并正式量产的产品。三大核心芯片分别来自南芯半导体、英诺赛科和智融 科技 。
充电头网进一步了解到,瑞亨65W 1A1C氮化镓快充充电器内置的三颗核心芯片分别为南芯的主控芯片SC3021A、英诺赛科氮化镓功率器件INN650D02,以及智融二次降压+协议识别芯片SW3516H。
该充电器支持100-240V~ 50/60Hz输入和双口快充输出,配备最大输出65W的USB-C接口,以及最大30W输出的USB-A接口。
瑞亨65W 1A1C氮化镓快充整机尺寸约为53*53*28mm,功率密度可达0.83W/mm³,与苹果61W充电器修昂相比,体积约缩小了三分之一。
ChargerLAB POWER-Z KT001测得该充电器的USB-A口支持Apple2.4A、Samsung5V2A、QC3.0、QC2.0、AFC、FCP、SCP、PE等协议。
USB-C口支持Apple2.4A、Samsung5V2A、QC3.0、QC2.0、AFC、SCP、PE、PD3.0 PPS等协议。
PDO报文显示充电器的USB-C口支持5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A、3.3-11V 5A。
四、氮化镓快充三大核心芯片自主可控
南芯总部位于上海。南芯SC3021A满足各类高频QR快充需求,采用专有的GaN直驱设计,省去外置驱动器或者分立驱动器件;集成分段式供电模式,单绕组供电,无需复杂的供电电路;内置高压启动及交流输入Brown In/Out功能,集成了X-cap放电功能;SC3021A最高支持170KHz工作频率,适用于绕线式变压器,SC3021B最高支持260KHz工作频率,适用于平面变压器。
南芯SC3021A详细规格资料。
初级侧氮化镓开关管来自英诺赛科,型号INN650D02 ,耐压650V,导阻低至0.2Ω,符合JEDEC标准的工业应用要求,这是整个产品的核心元器件。INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好,且导通电阻小,适合高频高效的开关电源应用,采用DFN8*8封装,具备超低热阻,散热性能好,适合高功率密度的开关电源应用。
英诺赛科总部在珠海,在珠海、苏州均有生产基地。据了解,INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺,是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件,这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。
目前,英诺赛科已经在苏州建成了全球最大的集研发、设计、外延生产、芯片制造、测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片,产品将为5G移动通信、数据中心、新能源 汽车 、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业的自主创新发展提供核心电子元器件。
英诺赛科InnoGaN系列氮化镓芯片已经开始在消费类电源市场大批量出货,成功进入了努比亚、魅族、Lapo、MOMAX、ROCK、飞频等众多知名品牌快充供应链,并且均得到良好的市场反馈,成为全球GaN功率器件出货量最大的企业之一。
智融总部位于珠海。智融SW3516H是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片,支持A+C口任意口快充输出,支持双口独立限流。其集成了 5A 高效率同步降压变换器,支持 PPS、PD、QC、AFC、FCP、SCP、PE、SFCP、低压直充等多种快充协议,CC/CV 模式,以及双口管理逻辑。外围只需少量的器件,即可组成完整的高性能多快充协议双口充电解决方案。
智融SW3516H详细规格资料。
五、行业意义
氮化镓快充三大核心芯片全面国产,一方面是在当前中美贸易摩擦的大背景下,避免关键技术被掐脖子;另一方面,国产半导体厂商可以充分发挥本土企业的优势,进一步降低氮化镓快充的成本,并推动高密度快充电源的普及。在未来的市场争夺战中,全国产的氮化镓快充方案也将成为颇具实力的选手。
相信在不久之后,氮化镓快充产品的价格将会逐渐平民化,以普通硅充电器的价格购买到全新氮化镓快充的愿景也将成为可能。
OVC1、OVC,Ordered Vacancy Compound的缩写。 OVC是一种高分子半导体材料。其分子式为CuIn3Se5或CuIn 2Se3.5,掺Ga时为Cu(In1-xGax)3Se5或Cu(In1-xGax)2Se3.5。 OVC在CIS/CIGS薄膜太阳电池中起着很重要的作用。 在CIS/CIGS薄膜电池中形成OVC后,CIS/CIGS与CdS之间的异质结变为两个异质结的串联:一个是p-CIS/CIGS与n-OVC构成的反型异质结;另一个是n-OVC与n-CdS构成的同型异质结。异质结的p-n结被做在窄带吸收层CIS/CIGS里,大大减少了结界面处的缺陷。同时,在CIS/CIGS与CdS两个禁带宽度之间形成一个过渡,减小了彼此之间的禁带宽度台阶,从而减小了晶格失配,减小界面态密度,也减小了带边失调值,由原来的-0.298eV减小为-0.276eV,大大改善了异质结的结特性。从而大大改善了电池的性能。 2、OVC,奥凯华科的英文标识。 ■ 品牌简介: OVC 依凭集团优势,在研发上,坚持以最好的音质让声音完美再现,不断的对产品进行改进,以确保每一项产品设计充分满足客户的需求;在制造上,拥有尖端的耳机单元设计能力,掌握包括最核心的振膜制造技术在内的全套耳机生产技术;在外观设计上,OVC拥有独立的产品造型工作室,致力推出符合中国人审美情趣的独有外观,彻底改变国产产品只能模仿、抄袭国外产品的局面。 OVC以‘倾听赢世界’为独特价值主张,倡导倾听的文化精神和生活态度。品牌以科技与人性化为基础,以满足客户需求为终极目标,以为国人提供高性能产品为己任,不断开发出适合国人的电声产品。 OVC站在世界耳机开发制造前沿,大力推动的“金属耳塞音质革命运动”,开行业之先河,从材质、造型到音质,打破了耳塞制造工艺的局限,拓展了耳塞的声音质感,使大众能充分享受到高品质的金属质感音乐,并一跃成为世界上拥有最多金属系列耳塞的品牌。 展望未来,OVC仍将立足国内中高端耳机市场,致力于拓展民族耳机工业,用更优质的产品、更周全的服务、更专注的态度回报消费者。 倾听赢得朋友,倾听赢得世界。 ■ 倾听理念: 大海之所以成为大海,是因为他取位置低下的谦虚态度,能接纳万千河川之水,所以才变得博大。今天,市场已经从 4P 时代发展到了 4C 时代,只有善于倾听消费者的声音才能赢得市场。 生活与工作离不开沟通和交流,而善于倾听则是成功沟通与交流的第一步,倾听赢得朋友、倾听赢得世界。 倾听赢世界 —— 是奥凯华科集团、奥凯华科品牌提出的独特价值主张( 倡导倾听的文化精神和生活态度 ) 更是奥凯华科的核心文化价值观。
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