半导体工业中的最小线宽指的是FET中源极到漏极的距离么？也就指的是栅极的宽度？

MOS工艺中最小线宽又叫特征尺寸，在设计时，常指的是MOSFET的栅极的长度L，理论上来说，栅极的长度就是它所控制的沟道长度（即漏极与源极之间的距离），但实际上，由于在源极与漏极进行掺杂时存在横向扩散，所以L其实是导电沟道的长度，在标准MOS工艺中，往往栅极会把沟道整个盖住，所以栅长是比沟道长度稍大一些的。

芯片7nm,10nm指的是采用7nm,10nm制程的一种芯片,nm是单位纳米的简称。

目前，制造芯片的原材料以硅为主。不过，硅的物理特性限制了芯片的发展空间。2015年4月，英特尔宣布，在达到7nm工艺之后将不再使用硅材料。

相比硅基芯片，石墨烯芯片拥有极高的载流子速度、优异的等比缩小特性等优势。IBM表示，石墨烯中的电子迁移速度是硅材料的10倍，石墨烯芯片的主频在理论上可达300GHz，而散热量和功耗却远低于硅基芯片。麻省理工学院的研究发现，石墨烯可使芯片的运行速率提升百万倍。

扩展资料：

1995年起，芯片制造工艺从0.5μm、0.35μm、0.25μm、0.18μm、0.15μm、0.13μm，发展到90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、16nm、14nm，再到即将到来的10nm，芯片的制程工艺不断发展，集成度不断提高，这一趋势还将持续下去。

参考资料：百度百科-芯片 （半导体元件产品的统称）

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