半导体键合材料区别

您好，半导体键合材料是指用于半导体芯片制造过程中的材料，它们的主要功能是支撑和保护半导体芯片，以及提供电气和机械连接。它们可以分为三大类：基材、封装材料和连接材料。

基材是用于支撑和保护半导体芯片的材料，它们可以是金属、玻璃、塑料或其他材料。它们的主要功能是提供半导体芯片的支撑和保护，以及提供电气和机械连接。

封装材料是用于封装半导体芯片的材料，它们可以是金属、塑料、玻璃或其他材料。它们的主要功能是提供半导体芯片的保护，以及提供电气和机械连接。

连接材料是用于连接半导体芯片的材料，它们可以是金属、塑料、玻璃或其他材料。它们的主要功能是提供半导体芯片的电气连接，以及提供机械连接。

总之，半导体键合材料用于支撑和保护半导体芯片，以及提供电气和机械连接，它们可以分为基材、封装材料和连接材料三大类。

球形键合，一般弧度高度是150μm，弧度长度要小于100倍的丝线直径；键合头尺寸不要超过焊盘尺寸的3/4，球尺寸一般是丝线直径的2到3倍，细间距约1.5倍。

楔形键合，焊盘尺寸必须支持厂的键合点和尾端，焊盘长轴必须在丝线的走线方向，焊盘间距因适合于固定的键合间距。

键合的失效情况介绍：

1、焊盘产生d坑(Cratering)。这是一种超声键合中常见的一种缺陷，指焊盘金属化下面的半导体玻璃或者其他层的破坏。像一块草皮形状，更一般的是难以肉眼看得见。它会影响电性能。

原因有多种：过高的超声能导致Si晶格点阵的破坏积累、太高或者太低的键合压力(wedge) 、球太小导致坚硬的键合头接触了焊盘。1.3微米厚的焊盘发生破坏的可能性小，小于0.6微米厚的焊盘容易破坏。丝线和焊盘硬度匹配可达到最优的效果，在AI的超声键合中，丝线太硬容易导致d坑的产生。

2、键合点开裂和翘起：键合点的后部过分地被削弱，而前部过于柔软会导致开裂。在弧度循环中丝线太柔软也是一个导致这种现象产生的原因。这种开裂常常发生在AI楔形键合第一点和球形键合的第二点。

3、键合点尾部不一致：丝线的通道不干净、丝线的进料角度不对、劈刀有部分堵塞、丝线夹太脏、不正确地丝线夹距或者夹力、丝线张力不对等。尾部太短会导致键合力加在过小的面积上，产生较大的变形太长又会导致焊盘间的短路。

4、键合点剥离：当键合头将丝线部分拖断而不是截断的时候会发生这种情况。常常由于工艺参数选择不对或者是工具已经老化失效的原因。

5、引线框架腐蚀：镀层污染过多和较高的残余应力会导致这种腐蚀。例如42号合金或者铜上镀Ni就会发生中问题；在组装过程中，引脚弯曲会产生裂纹，并暴露在外部腐蚀条件下，同时应力腐蚀导致的裂纹也会萌生；在一定温度、湿度和偏压下，腐蚀就会因为污染、镀层中的孔隙等而发生。

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