如果国外的话,主要在日本、新加坡、美国、台湾这几个地方。
寸(inch)
名称
所在城市
状态
12
SMIC FAB4
北京
总耗电量31.5MVA
12
SMIC FAB5
北京
二期扩建,投资巨大,狐狸露出尾巴
12
SMIC FAB6C
北京
Cu process
12
SMIC FAB8
上海
2012被水淹
12
武汉新芯
武汉
飞索包下3k~5k/m订单
12
Hynix-ST
无锡
国内规模一哥,对华族无实质利益
12
Intel FAB68
大连
假公济私,离海岸线仅有数百米
12
华力FAB2
上海
平衡SMIC的一个棋子
12
山东华芯
济南
摇旗呐喊,学忽悠
12/8
(VIP站友可知)
潍坊
计划中,尚未启动
8
大连理工大学微电子学院
大连
没钱
8
TSMC FAB10
上海
潜龙在渊
8
华力FAB 1,2,1C
上海
原HHNEC
8
SMIC FAB1,2,3B,9
上海
2012被水淹
8
SMIC FAB10
上海
solar cell,被卖了
8/12
(VIP站友可知)
福州
注册资本金到位,选址完毕,高管团队就位
8
SMIC FAB7
天津
中国第一批新生代半导体菁英摇篮
8
TI成都
成都
1/3贱价卖出
12/8
SMIC
深圳
倒闭倒计时中...
8
华润微电子FAB 2
无锡
本站在该公司新成立之时就宣判该公司财务上死亡,但目前官方宣传一切正常,继续观察中...
6
邦普power
江苏海安
原GMIC,已被收购完毕,改6寸
8
和舰HJTC FAB1,2
苏州
回归母体,曲线西进
8
晶诚
郑州
玩笑破灭中...又跑到包头继续开更大玩笑
8
ASMC FAB3
上海
漏洞百出
8
中联国际
山东东营
洁净室施工中,近日可能搁浅
8
中科渝芯
重庆
8
(VIP站友可知)
大连
又有重新启动的可能
6
睿创微纳
烟台
MEMS fab
6
ASMC FAB1
上海
2012被水淹
6
BCD
上海
海外上市融资
6
士兰
杭州
2012被水淹,真正民族旗帜,值得敬佩
6
华润晶芯
无锡
华润微电子整体开始盈利
6
珠海南科ACSMC
珠海
2012被水淹,8寸项目无法启动
6
中环
天津
枯藤老树昏鸦
6
西岳(77所)
西安
2015年,本站准备组织义勇军去挖掘废墟去
6
方正
深圳龙岗
力争国内6寸一哥,目标远大
6
晶新
扬州
on building
6
韩国SK
深圳
投资3200万美元SoC项目
6
吉林华微FAB3(麦吉科)
吉林
已投产
6
杭州力昂
杭州
2012被水淹
6
福建福顺
福州
新购sony 6寸线,规模快速扩大中
6/8
厦门集顺
厦门
台湾友顺花开两朵。8寸线可能落在厦门集美北部工业区,也有说法落地福州
6
北京燕东
北京
2012被震塌了
6
安森美(菲尼克斯)半导体
四川乐山
已获政府批准
6
科达半导体
山东东营
6寸IGBT后工序生产线(同样的还有无锡凤凰),封装测试线已投产
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比亚迪BYD
宁波
收购原宁波中纬,整合结果待观察
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littlefuse(康可电子)
无锡
状态不明,似乎还活着
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中洋田
广东中山
情况不明
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士兰
杭州
2012被水淹
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扬州晶新
扬州
2012被水淹
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深爱
深圳
深圳方正对面
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扬州国宇
扬州
ongoing
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浙江华越
绍兴
国有老厂,廉颇老矣
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华兴
香港
华智?
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逸仙半导体
广东珠海
总裁邓海屏,情况不明
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天水
甘肃
2015还在否?
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扬州晶新
扬州
倒卖设备先锋
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福建安特
莆田
人员大规模异动
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上海贝岭
上海
老树枯藤昏鸦
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深爱
深圳
2012被水淹
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吉林华微
吉林
2015年,本站组织义勇军去挖掘废墟
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浙江华越
绍兴
2012被水淹
4
江阴长电
江阴
自有功率器件小线
4
捷来电子
启东
盈利
4
捷捷电子
启东
盈利
4
58所华晶
无锡
2012被水淹
4
华普
无锡
2012被水淹
4
明芯
江苏海安
盈利
4
福顺
福建福州
2012被水淹
4
燕东
北京
2012震塌了
4
安顺
丹东
台湾友顺的子公司
4
敦南科技
无锡
还好
4
58所华晶
无锡
2012被水淹
4
鼎霖
北京
0.5微米半导体特种工艺生产线
4
东光
宜兴
上市了,又中股市三年必倒魔咒,高度风险中…
腰间的肥肉咔咔掉”“人鱼线、马甲线我想要”......近期刘畊宏的减肥 *** 掀起了全民健身的热潮,从大热的《本草纲目》毽子 *** 到《周大侠》版搏击 *** ,他通过健身的方式让周杰伦的经典歌曲席卷全网。这不,前两首健身 *** 还没跟上,新版草原抖肩 *** 又来了,魔性的舞蹈和BGM不仅吸引了越来越多的人进行跳 *** 训练,还让人们再次对草原舞蹈有了新的认知,可谓是一举两得。在“草原抖肩 *** ”中,刘畊宏选了一首节奏轻快的《上海产的半导体》作为配乐,练习的过程中让人仿佛奔驰在大草原上,画面感十足。一套 *** 跳下来,好似变成了策马归来的草原儿女。于是,强烈的好奇心驱使人们在搜索框输入了这首歌的名字,原来这首歌是湖南卫视最近热播的综艺《春天花会开》中的歌曲。这是一档以民歌为主题的节目,也许一开始对于不了解民歌这块的朋友们来说兴趣寥寥,但随着节目播出,越来越多的人发现了这档宝藏综艺的魅力所在。不看不知道,在一众音综里,它有着自己的独到之处,比如里面所有的选手都是90后,这群年轻人将民歌进行融合改编,加入了许多以往意想不到的元素,除了给观众带来了全新的体验,同时也让更多人了解和发现民歌时尚化的新可能。
PN半导体 什么是半导体呢? 顾名思义:导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料,叫做半导体(semiconductor). 物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料,如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等,称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。 半导体的发现实际上可以追溯到很久以前, 1833年,英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下,金属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久, 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特征。 在1874年,德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关,即它的导电有方向性,在它两端加一个正向电压,它是导通的;如果把电压极性反过来,它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第三种特性。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。 1873年,英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应,(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。很多人会疑问,为什么半导体被认可需要这么多年呢?主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料,很多与材料相关的问题就难以说清楚。 半导体于室温时电导率约在10ˉ10~10000/Ω·cm之间,纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化镓、磷化镓等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。除上述晶态半导体外,还有非晶态的有机物半导体等。 本征半导体(intrinsic semiconductor) 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在绝对零度温度下,半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论),受到光电注入或热激发后,价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带(conduction band),价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴(hole),导带中的电子和价带中的空穴合称为电子 - 空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动,成为自由载流子(free carrier),它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流,分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴,使电子-空穴对消失,称为复合(recombination)。复合时产生的能量以电磁辐射(发射光子photon)或晶格热振动(发射声子phonon)的形式释放。在一定温度下,电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时本征半导体具有一定的载流子浓度,从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发,从而产生更多的电子 - 空穴对,这时载流子浓度增加,电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小,载流子浓度对温度变化敏感,所以很难对半导体特性进行控制,因此实际应用不多。 杂质半导体(extrinsic semiconductor) 半导体中的杂质对电导率的影响非常大,本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体,一般可分为n型半导体和p型半导体。半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质,相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时,杂质原子作为晶格的一分子,其五个价电子中有四个与周围的锗(或硅)原子形成共价键,多余的一个电子被束缚于杂质原子附近,产生类氢浅能级-施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多,很易激发到导带成为电子载流子,因此对于掺入施主杂质的半导体,导电载流子主要是被激发到导带中的电子,属电子导电型,称为n型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对,所以在n型半导体中电子是多数载流子,空穴是少数载流子。相应地,能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质,相应能级称为受主能级,位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时,杂质原子与周围四个锗(或硅)原子形成共价结合时尚缺少一个电子,因而存在一个空位,与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶,价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位,使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位,形成自由的空穴载流子,这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子,杂质半导体主要靠空穴导电,即空穴导电型,称为p型半导体。在p型半导体中空穴是多数载流子,电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中,少数载流子常扮演重要角色。 PN半导体:晶体二极管(一个方向导电,另一个方向绝缘) PNP半导体:晶体三极管(放大电流) PNPN半导体:可控硅(调整交流频率)欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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