金属半导体结的缺点

金属半导体结的缺点,第1张

金属半导体结的缺点反向耐压低,反向漏电流大反向漏电流具有正温度特性。金属表面的负电荷密度增加,同时,靠近金属一侧的半导体表面的正电荷密度也随着增加。由于半导体自由电荷密度的限制,空间电荷层变宽。

过载能力弱、容易损坏、抗干扰能力差。

过载能力弱,在过电流、过电压情况下过载能力弱,在过电流、过电压情况下很容易损坏,容易损坏,抗干扰能力差,导致电网电压波形畸变,高次谐波分量增导致电网电压波形畸变,高次谐波分量增加,干扰周围的电气设备,控制电路比较复杂。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/5926745.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-03-08
下一篇 2023-03-08

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存