中国的半导体技术发展水平如何?

中国的半导体技术发展水平如何?,第1张

只能说起步阶段吧,目前只是在有限的几个领域里有所建树,但即便是这些领域也是仿照国外产品,原创的太少。从产业结构来看,目前在半导体领域的前沿研发基本都被欧美和日韩的企业以及院校所包揽。大陆的现状基本是有着大量的中小型设计公司,具有满足绝大多数普通应用场景的设计能力。但是在尖端技术上还是无法在国际上竞争,本国内高端产品基本依赖进口。

大陆半导体技术的发展前景和不足

1底层制造中国有很大的发展空间。

半导体技术的底层制造业(也常叫「微电子制造加工业」)是个纯粹的制造业。中国大陆近年来的代工制造一直处于上升阶段,很多传统领域的代工技术已然世界领先,下一步在微电子制造业上也达到尖端是可以期待的,业界也普遍看好。这是劳动力资源的优势所决定的。曾经日本、韩国、新加坡等地该行业很兴旺,但现在普遍因为劳动力资源的紧缺和涨价而大幅衰弱,台湾也略有衰退之胜,中国大陆正在快速上升期。

2欣欣向荣的是封装测试领域。

大陆各种大型的封装测试工厂遍地开花,有外资的也有民营的。由于封测产业对于技术要求相对较低,但是对于成本控制相当敏感,所以在劳动力相对低廉的大陆获得了较大的发展。

3中国由于财力和技术积累的不足,在规模最大、利润最高的几块市场,比如CPU,FPGA或者存储器上,大陆基本还处于弱势地位。

4高端设备和原材料的供应商极缺,所有重要设备和材料几乎完全进口。

半导体技术,可以分成设计和工艺两大部分。作为学了7年的专业,我觉得中国就是个能吹牛的国家。。。

设计技术不想说,民用平均差距在20年。华为、海思什么虽然在通讯领域崛起,赶超思科,但是其他领域如PC等,不仅是IP的积累、经验积累,都大幅落后。集成电路的贸易逆差和进口量,应该都是中国进口货物中最大的,远超石油什么的,这也是现在为什么硬砸1200亿投资集成电路的原因。顺便喷一下威盛这个公司,打着自研的旗帜骗国家钱,面试官不懂装懂,中国集成电路落后就是这些蛀虫惹的祸。

主流工艺应该是落后3代左右。中芯国际现在还是45、65,现在Nvdia已经在挑战极限的7nm了,intel的28nm工艺已经成熟的准备换代了。。。

其他封装测试什么就不说了,这些基于设计和工艺的东西,必须是落后的。。。

不过中国也是有些先进技术的,一些高新材料(虽然是长在进口的衬底上)。。。世界最大的超级计算机银河2和曾经最大的银河1(有兴趣可以查一下银河1,看看他做了几天世界第一,然后被日本超级计算机完爆1个数量级。。),还有号称赶超世界水平的龙芯(哥,你的稳定性行吗?你的核心代码不是买的吗?)

总结一句话:2015年起,国家投资1200亿的行业,你觉得他现在很强吗。。。

美中或是日韩贸易战,均以科技领域为主战场,都涉及到半导体层级,反映半导体是科技竞赛的主战场。半导体是现代资讯产业的基础和核心产业之一,为衡量一个国家科技发展水准乃至综合国力的重要指标。

更重要的是,美中或是日韩贸易战将使全球化垂直分工所基于的商业信任和自由贸易规则遭到破坏,未来各国恐更加重视供应安全与自主可控,是否造成资源浪费、研发和投资效率低落等问题,值得深思。

即便是全球半导体供应国之首的美国,占有国际附加价值、技术含量最高的环节,但因中国业务占美国半导体业者比重均在3成之上,更遑论部分美系半导体大厂的中国合计客户占比高达5成以上,故在美中贸易战之下,美系半导体厂业绩也相对受损。

同样地,中国半导体业近年来虽高速成长,但部分环节发展仍未突破瓶颈,且有产业链覆盖不完整的情况,自然在美中贸易战遭到美方以关税、非关税贸易障碍的方式,袭击关键核心晶片的供应。有鉴于此,预料中国将持续以半导体扶植政策、集成电路第2期大基金的投入、内外部人力资源的积累、由科创板来实现资本市场和科技创新更加深度的融合,来加速推动中国本身半导体国产替代的方向,期望在未来新兴科技所带动的新产品、贸易战下带来的新分工模式基础上,使中国半导体进入技术能力提升、创新活力增加、产品多元化的结构改革阶段。

今年中国半导体业的景气表现,大体呈现先抑后扬的局面,主要是尽管美中贸易谈判未来仍是存有变数,但至少短期内5至6月美国对于华为的严格禁制令在第3季初已有所松绑,使得下半年华为对于供应链的下单力道加大。同时华为生态链的重塑也有利于中国本土的半导体厂商,显然美中贸易战加速核心环节国产供应链崛起的速度,且半导体供应链的库存水位持续下降,再加上5G无线通讯、AI、 IOT、穿戴式装置/AR/VR、车用电子、高效能运算/资料中心、工业4.0/智慧制造等商机也将逐步发酵所致。

若以2019年中国晶圆代工的发展主轴来看,依旧以先进制程的追赶与突破、特殊制程的差异化竞争为主,后者应用的产品包括DRAM,模拟IC,光学器件,感测器,分立器件等。其中2019年中芯国际公司专注推进FinFET技术,上海中芯南方FinFET工厂顺利建造完成,进入产能布建,公司更规划2019年下半年实现14纳米FinFET量产计划,同时12纳米制程开发进入客户导入阶段,显然中芯国际欲利用台积电南京厂产能利用率下降,正研议放缓增建产能脚步之际,而缩短与台积电中国布局的差距,不过随着台积电在台湾厂的先进制程陆续步入7纳米强化版、6纳米制程、5纳米制程之下,中芯国际仍是处于追赶的阶段。


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