比较ld和led的特点

led俗称半导体发光二极管；ld俗称半导体激光二极管。两者的发光机制没有本质的区别，即：通过正向偏置电流驱动，使半导体p区和n区的交界处（即pn结产生粒子激励，电子及带电空穴在电流驱动下往高能级跃迁，然后又从高能级回复到低能级，同时释放一个光子，即实现其发光。激光器的工作存在与普通光源不同之处在于，它同时需要激光工作物质（这在半导体激光二极管ld中，激光工作物质即为半导体材料），泵浦（即外加的能量源），谐振腔。ld和led的工作时，其体系结构中都存在半导体工作物质和泵浦源，唯一不同的是，ld在其外层通过自然解理形成一重谐振腔，该谐振腔有一定的发光门限条件（即阈值条件）当达到这个条件是，激光器才开始粒子数反转受激发光。当ld的驱动还没达到阈值条件时，它的发光机理其实和led是没有明显区别的。在光束质量方面，led发出的光束简并度次于ld，换句话说，即ld发出的光具备较好的波长特性、方向准直特性、相位特性等..

第一、不同点：半导体发光二极管与半导体激光器最大的不同是半导体发光二极管没有谐振腔，是无阈值器件，它的发光只限于自发辐射过程，发出的是荧光，半导体发光二极管最大的特点是：光谱较宽、线性好、温度特性好、耦合效率低。第二、相同点：都是电流驱动发光，不同的是LD内有谐振腔，发出的光是激光，单色性更好。

发光二极管

它的优点：亮度高、工作电压低、功耗小、微型化、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长、耐冲击、性能稳定。

在电工仪器及控制设备中广泛用作信号、状态指示、数码显示以及各种图形显示等。

它的主要缺点是LED的价位很高，尤其是高亮度级的或特殊颜色的。

半导体激光器

前苏联科学家H.Γ.巴索夫于1960年发明了半导体激光器。半导体激光器的结构通常由P层、N层和形成双异质结的有源层构成。其特点是：尺寸小，耦合效率高，响应速度快，波长和尺寸与光纤尺寸适配，可直接调制，相干性好。

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