因为直接能隙半导体材料中的电子、空穴复合时,没有动量的改变,则不需要第三者参与,故能量都可以发光的形式释放出来——发光强度大。
但是间接能隙半导体材料中的电子、空穴的复合,有动量的改变,则必须要有第三者(主要是声子)参与,故能量几乎不能以发光的形式释放出来——发光强度非常低。
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因为直接能隙半导体材料中的电子、空穴复合时,没有动量的改变,则不需要第三者参与,故能量都可以发光的形式释放出来——发光强度大。
但是间接能隙半导体材料中的电子、空穴的复合,有动量的改变,则必须要有第三者(主要是声子)参与,故能量几乎不能以发光的形式释放出来——发光强度非常低。
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