单极型半导体器件是场效应管吗

单极型半导体器件是场效应管。

场效应晶体管主要有两种类型：结型场效应管和金属—氧化物半导体场效应管，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。

同理，当二极管加上反向电压时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。

扩展资料：

场效应管工作原理：

场效应管工作原理用一句话说，就是漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID。

从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。

但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。

因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。

参考资料来源：百度百科—场效应管

半导体中，温度越高，载流子平均热运动速度越大，散射机率越小。晶格散射随温度增强主要由于晶格本身的热震动随着温度的上升而变大（类似于温度高了，晶格热震动强了，导致其与载流子的碰撞截面增大）。或者说随着温度的升高，晶体里声子变多，载流子与声子的散射率越来越高。

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