关于英诺赛科:
英诺赛科于2015年底成立,是一家专业从事第三代半导体硅基氮化镓芯片开发与制造的企业,成立至今先后引进了近百名国际一流知名半导体企业的顶尖人才,组建国际一流半导体研发团队,开展自主研发工作,形成了自主可控核心技术,并已申请290余项国内外核心专利。
作为全球领先的硅基氮化镓功率器件制造商,英诺赛科采用集研发、设计、生产、制造和测试为一体的IDM模式,全产业链技术自主可控。商业模式具有明显高效低成本优势,优于国际友商,同时实现全产业链核心技术自主可控,为公司产品的快速迭代创新提供了一个最好的平台。
英诺赛科主要产品为30V-650V氮化镓功率器件、功率模块和射频器件等,产品覆盖面为全球氮化镓企业之首。公司的IDM产业化模式及其首创的8英寸硅基氮化镓功率与射频器件量产线,使公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。
英诺赛科积极建立完善基于硅基氮化镓的第三代半导体的生态体系,与众多国际、国内IC设计公司、磁材料公司、先进封装厂等厂商深度合作,开发针对硅基氮化镓的配套系统,建立自主可控的生态系统。尤其在快充领域,英诺赛科“InnoGaN”氮化镓功率器件已被魅族、努比亚、ROCK、飞频、Lapo等多个品牌的采用,并实现了大规模量产,产品性能获得市场一致认可。
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