12V的半导体制冷片的驱动电路

电路不是很懂，仅供参考，不求分。这是一个由基极引出光耦控制的N沟道增强型集成稳压管的场管进行开关控制的电路，本图中用于控制制冷片的功率（你的图上看上去像是耗尽型，查资料确定是增强型）。光耦是东芝公司生产的一种通用光耦，八脚封装，常用与晶体管电压逆变，IGBT栅极驱动，MOS管驱动等，正向电流直流20毫安。场管是通用型100V28A150W，V型槽MOS场效应管。增强型的场管一般呈关闭状态，栅极施加一定电压后源极与漏极间开通允许电流流过。C1C2滤波，一般是一个电解电容一个是瓷片电容，一般取电解电容10uF，瓷片电容取0.01uF。R1限流防止光耦损坏，根据输入电压和光耦最大电流计算安全阻值。电感用于蓄电，在场管断开之后释放存储的电量，二极管用于消除电感断电后的反向电动势避免产生高压击穿场管。电感的电感量和功率要根据半导体制冷片的功耗选择，本图应该是功率电感，厂家的手册上写的是7.5nH电感量。

（1）由图可知，半导体电阻R与定值电阻R0串联，当半导体电阻越来越小的时候，根据欧姆定律可知，电路中的电流越来越大，应该给电路中串联一个定值电阻，这样就可以防止电路中的电流过大而烧坏仪表；

（2）由图示图象可知，50℃时R1=40Ω，

电路电流：I=

U

R1+R2

=

12V

40Ω+60Ω

=0.12A，

由I=

U

R

可知，R1两端电压：U1=IR1=0.12A×40Ω=4.8V；

（3）电路最大电流：I最大=200mA=0.2A，

由I=

U

R

可知，电路最小电阻：R1=

U

I最大

=

12V

0.2A

=60Ω，

由图示图象可知，电阻R1为60Ω时的温度为约为40℃；

答：（1）根据相关信息判断，实验中R2保护的对象是电流表．

（2）环境温度是50℃时，电压表示数为4.8V，电流表示数为0.12A．

（3）如果没有设计保护电阻R2，大约在40℃的环境温度下，电路会有损毁的危险．

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