电力电子复习题 谁帮我写下答案 谢谢了

1、使晶闸管导通的条件是什么？加正电压，且有触发脉冲

2、维持晶闸管导通的条件是什么？电流大于擎住电流

3、试说明IGBT/GTR/GTO/电力MOSFET各自的优缺点。

课本上有。见图片

4下列电力电子器件属于电压驱动型器件是（ C ）

A. SCR       B. GTR       C. IGBT      D. GTO

5．下列电力电子器件中，属于电流控制的全控型器件是（  B   ）。

A． SCR    B． GTR   C．电力MOSFET  D． IGBT

6  在电力开关管的驱动电路中，一般采用的电气隔离技术是___磁_____和____光____。

7 电力开关管由于承受过电流、过电压的能力差，所以其控制电路必须设有__吸收___和__缓冲___保护电路

8．晶闸管可能导通的条件是（  A  ）。

A．阳极加正向电压，门极有正向脉冲      B．阳极加正向电压，门极有负向脉冲

C．阳极加反向电压，门极有正向脉冲      D．阳极加反向电压，门极有负向脉冲

9．若晶闸管允许的电流有效值是157A，则其额定电流为_____157__________A。（不考虑电流安全裕量）

1 什么是触发角？门极加触发脉冲的时刻距阳极正向电压过零时的时间差。

2．设变压器二次侧相电压有效值为U2。单相半控桥式有续流二极管整流电路输出电压平均值为（ 0.9*U2*(1+cos(phi))/2  ），单相半波电路电路输出电压平均值为（ 0.45*U2*(1+cos(phi))/2  ）。

3、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___120_____度

4．三相半波可控整流电路，带电阻性负载，晶闸管可能承受的最大正向电压为（  1.414*1.732*U2 ），设U2为变压器二次侧相电压有效值。

5．三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差为（ C  ）。

A．60°     B．90°  C．120°    D．180°

6．三相不可控桥式整流电路，在一个电源周期中，输出电压脉动数为（ D  ）次。

A．2    B．3    C．5    D．6

7.输入整流变压器存在直流磁化的有：（B）

A．单相双半波整流电路  B. 三相半波整流电路  C . 三相桥式有源逆变电路 D. 三相桥式整流电路

8.考虑变压器漏感对整流电路的影响，在电流换相过程中，换相的两个晶闸管同时__导通_______，同时会导致整流输出电压平均值____降低_________。

9.  单相桥式全控整流电路，带电阻性负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时整流电压波形如何？如果有一晶闸管短路，则电路会出现什么现象？并分析原因。

一个周期中少了一个半波，有了半波整流。若有一个晶闸管路，就形成了电源短路。

10、单相半控桥式整流电路，带续流二极管，对阻感负载供电（图1），电感极大，交流电源电压为u2=220V，电阻R=4Ω，控制角α=60°，试回答：

• （1）计算整流输出平均电压Ud和晶闸管电流的有效值IvT1；

• （2）按裕量系数2确定晶闸管的额定电流。

Ud=0.9*U2*(1+cos(phi))/2=0.9*220*(1+1/2)/2=?

Ie=2*Idvt=2*0.45*U2/R*(1+cos(phi))/2=2*0.45*220/4*(1+1/2)/2=?

1、试述降压型斩波电路的工作原理，如果电路中Ud=100V, 求输出电压值？

能过开头的通断来控制平均输出电压的大小。U0=100*D，D-占空比

2、Boost变换器为什么不宜在占空比接近1的情况下工作？

U0=1/(1-D)*Ui，当D接近于1时，U0将趋向于无穷，故不能在接近1的情况下工作。

3、在图所示的降压斩波电路中，已知E=120V，L值极大，R=5Ω，EM=30V，采用脉宽调制控制方式，当T=40us，ton=25us时，求：

（1）计算输出电压平均值U0、输出电流平均值I0。

（2）分别画出IGBT开通和关断时的等效电路。

图在哪？

• 分析下图所示的升压斩波电路的工作原理，若已知E=110V，L和C极大，R=20Ω，采用脉宽调制控制方式，当T=60μs，ton =40μs时，试计算输出电压平均值U0和输出电流平均值I0    。

• 升压斩波电路

图在哪？

对电力半导体器件进行散热一般采用三种方式,分别是风冷，水冷和金属冷。

风冷是最简单的散热方式，一个风扇就可以了，也是最常用的散热方式，冷却效果稍差，但因为简单实用，仍然是最常用的散热方式。

水冷，散热效果好，但 *** 作麻烦，还需要有冷却水，元器件一旦漏水会造成器件损坏。

金属冷，是利用金属良好的导热性，快速的将热量传导出去。一般做成翅片式金属散热器，加大散热面积，结构比较简单，效率也比较高。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。

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