跪求天津大学2011考研复试大纲微电子学与固体电子学综合

跪求天津大学2011考研复试大纲微电子学与固体电子学综合,第1张

科目名称:微电子学与固体电子学综合

第一部分: 半导体集成电路复试大纲(参加微电子学复试的考生参考)

一、考试的总体要求

“半导体集成电路”是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括“晶体管原理”、“半导体集成电路”。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。

二、考试内容及比例

(一)晶体管原理(30%)

1.PN结

(1)PN接触电势差VBJ形成;

(2)理想和实际二极管电流电压方程,非平衡清况电流随电压变化规律。

(3)PN结击穿机理。

2.双极晶体管直流特性

(1)晶体管中的电流传输

(2)晶体管电流增益

3.晶体管频率特性和瞬变特性

(1)晶体管交流特性理论分析

掌握混合 模型及各参数的意义

(2)共发射极短路电流放大系数及其截止频率

(3)晶体管开关时间

4.MOS场效应晶体管

(1)MOS场效应晶体管基本工作原理、类型。

(1)MOSFET的阈值电压定义、表达式、VBS的影响

(2)MOSFET的伏安特性

能够解释输出特性曲线,理解萨之唐方程的求解过程和适用范围;了解MOSFET的击穿机理。

(3)短沟道效应的定义和影响

(二)半导体集成电路(70%)

1.集成电路中的晶体管及其寄生效应

(1)集成双极晶体管的有源寄生效应

(2)集成电路中的PNP管

(3)肖特基势垒二极管和肖特基箝位晶体管

2.晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路

(1)TTL与非门,

(2)STTL 电路

3.发射极耦合逻辑(ECL)电路工作原理

4.MOS倒向器及其基本逻辑单元

(1)7.2 E/D反相器

(2)7.3 CMOS反相器

(3)7.5 动态反相器

(4)8.1 NMOS逻辑结构

(5)8.2 CMOS逻辑结构

(6)8.4 影响门的电气和物理结构设计的因素

(7)8.6传输门逻辑

(8)9.4 寄存器

5.模拟集成电路中的基本单元

(1)12.1.2 MOS管放大器

(2)12.2 恒流源电路

(3)12.3 偏置电压源和基准电压源电路

6.集成运算放大器

(1)13.1运算放大器的输入级

(2)13.2运算放大器的输出级电路

(3)13.3.1 741型通用集成运放

(4)13.4.4 CMOS集成运放

三、试卷题型及比例

1、简答题:30%

2. 论述题:45%

3. 计算、综合题:20%

4. 设计题:5%

五、主要参考材料

1.《微电子技术基础-双极、场效应晶体管原理》,曹培栋编著,电子工业出版社或《晶体管原理》,张屏英,周右谟编著,上海科学技术出版社

你好,本人今年也刚好考上集成电路研究生。这是微电子学科的专硕,要学的基础课程有半导体物理,半导体器件物理,集成电路工艺,还有一些电路方向的课程。至于教材,大学和中学不一样,老师都有选择自己想教学的教材的权利,每所学校的教材可能都不一样,但是半导体物理用的比较多的是刘恩科第七版的教材。


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