半导体物理学的内容简介

《半导体物理学(第7版)》较全面地论述了半导体物理的基础知识。全书共13章，主要内容为：半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；pn结；金属和半导体的接触；半导体表面及MIS结构；半导体异质结构；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶态半导体。

《半导体物理学(第7版)》可作为高等学校电子科学与技术类微电子技术、半导体器件，以及集成电路设计等专业学生的教材，也可供从事相关专业的科技人员参考。

当n区相对P区有负电压，且当负电压低于-0.6V(即绝对值大于0.6V)时，就会产生一个P区到N区的大电流；当有正电压时，在小于击穿电压之前电流可以忽略不计。二极管的基本性质可以通过考虑耗尽层的电压和电场来理解。正向偏压即在N区加一个相对P区的负电压。这样会导致PN结内建电势的减小，其变化趋势如图3e所示。PN结内建电势的减小会导致电场以及耗尽区宽度的减小，如图d、c和b所示。二极管内部电压的减小和耗尽区宽度的减小开始允许电流导通二极管。

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