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本征载流子就是本征半导体中的载流子,即电子和空穴,即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说,本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的,即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的;它们是成对产生的,所以电子和空穴的浓度始终相等。 本征半导体,从物理本质上来说,也就是两种载流子数量相等、都对导电起同样大小的半导体。因此,未掺杂的半导体是本征半导体,但是掺有杂质的半导体在一定条件下也可能成为本征半导体(只要两种载流子的浓度相等)。 对于掺有杂质的n型或p型半导体,其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供,而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的。因此,在杂质全电离情况下,多数载流子浓度基本上与温度无关,但少数载流子则随着温度将指数式增大。征半导体,纯净的半导体内部电子载流子和空穴载流子浓度相等。p型半导体,本征半导体掺入三价元素组成,内部空穴是多数载流子,电子是少数载流子。n型半导体,本征半导体掺入五价元素组成,内部电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
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