扩散理论和热电子发射理论的区别

以N型半导体为例（1）热电子发射理论：当n型阻挡层很薄，以至于电子平均自由程远大于势垒宽度时，电子在势垒区的碰撞可以忽略，因此，这时起决定作用的是势垒高度。半导体内部的电子只要有足够的能量越过势垒的顶点，就可以自由地通过阻挡层进入金属。同样，金属中能超越势垒顶的电子也都能到达半导体内。理论计算可以得出，这时的总电流密度Jst与外加电压无关，是一个更强烈地依赖于温度的函数。 （2）扩散理论：对于n型阻挡层，当势垒宽度比电子平均自由程大得多时，电子通过势垒区将发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。扩散理论正是适用于这样的厚阻挡层。此时，总电流密度JsD与外加电压有关。

http://books.google.cn/books?id=iHN1gLo6tMgC&pg=PA57&lpg=PA57&dq=jsd%E5%AF%B9%E8%B1%A1%E6%A8%A1%E5%9E%8B&source=bl&ots=lU6bR0OjiP&sig=OS8fv4-Z-ix7WMy6ceFmAs1HxIU&hl=zh-CN&ei=eb_SSsKhHJDU6gOu1YjsAQ&sa=X&oi=book_result&ct=result&resnum=3&ved=0CBEQ6AEwAg#v=onepage&q=jsd%E5%AF%B9%E8%B1%A1%E6%A8%A1%E5%9E%8B&f=false

谷歌上的详细解释

J表示机械式变速箱；S表示双中间轴结构；D表示副箱加大中心距。JSD系列变速箱是法士特公司第三代产品，针对副箱故障率较高的情况，加大了副箱的中心距，提高了齿轮强度，现已在欧曼、陕汽、一汽、中国重汽等主要汽车厂大部分车型上全面配装。

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