FTIR分析仪是什么

FTIR 傅氏转换红外线光谱分析仪(Fourier Transform infrared spectroscopy)

用于半导体制造业。FTIR乃利用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器。

目的：·已发展成熟，可Routine应用者，计 有： A.BPSG/PSG之含磷、含硼量预测。 B.芯片之含氧、含碳量预测。 C.磊晶之厚度量测。·

发展中需进一步Setup者有： A.氮化硅中氢含量预测。 B.复晶硅中含氧量预测。 C.光阻特性分析。FTIR为一极便利之分析仪器，STD的建立为整个量测之重点，由于其中多利用光学原理、芯片状况（i.e.晶背处理状况）对量测结果影响至钜。

目前所有的红外光谱仪都是都是傅里叶变换型的，光谱仪主要由光源（硅碳棒、高压汞灯）、迈克尔逊干涉仪、检测器和干涉仪组成。而傅里叶变换红外光谱仪的核心部分是迈克尔逊干涉仪，把样品放在检测器前，由于样品对某些频率的红外光产生吸收，使检测器接受到的干涉光强度发生变化，从而得到各种不同样品的干涉图。这种干涉图是光随动镜移动距离的变化曲线，借助傅里叶变换函数可得到光强随频率变化的频域图。这一过程可有计算机完成。

用傅里叶变换红外光谱仪测量样品的红外光谱包括以下几个步骤：

1)、分别收集背景（无样品时）的干涉图及样品的干涉图

2)、分别通过傅里叶变换将上述干涉图转化为单光束红外光；

3)、将样品的单光束光谱处以背景的单光束光谱，得到样品的透射光谱或吸收光谱。

参考百科

半导体参数分析仪（器件分析仪）是一种集多种测量和分析功能于一体的测试仪器，可准确执行电流-电压（IV）和电容测量（CV（电容-电压）、C - f（电容-频率）以及 C – t（电容-时间）测量），并快速、轻松地对测量结果进行分析，完成半导体参数测试。半导体参数测试是确定半导体器件特征及其制造过程的一项基础测量。在参数测试中，通常需要进行 IV 测量，包括分辨率低至 fA（毫微微安培）的小电流测量和高达 1 MHz 的CV 测量，并对主要特征/参数进行分析。虽然半导体参数分析仪的设计初衷是进行半导体评测，但因其优越的性能、强大的功能以及出色的易 *** 作性，现已在各种材料、器件和电子器件的 IV 和 CV 表征中得到广泛应用。

半导体参数分析仪可为表征任务提供更高的性能、更强的可用性以及更高的效率。参数分析仪集多种测量资源于一身，可轻松进行 IV 和 CV 测量，无需汇集或集成多种仪器，例如电源、电压表、电流表、LCR 表、开关矩阵等。参数分析仪的主要测量元器件是电源/测量单元（SMU）。SMU 是一种将电压/电流源功能和电压/电流表功能结合于单一模块中的测量模块。由于该参数分析仪将电源和测量电路紧密集成，所以相比使用多种独立仪器进行相同测量来说，可以提供更高的精度、分辨率以及更小的测量误差。

此外，参数分析仪还具有分析功能，使您无需借助外部 PC 便可快速地交互检查和分析显示屏上的测量结果。由于半导体参数分析仪具有多种功能，因此适用于从探索分析到自动测试的各种测量环境。

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