中文名空穴,又称电洞分类半导体固体物理学准粒子原理光生伏打效应 霍尔效应
工艺刻蚀掺杂离子注入分子束外延介绍概念当满带顶附近产生p0个空态时,其余大量电子在外电场作用下所产生的电流,可等效为p0个具有正电荷q和正有效质量mp,速度为v(k)的准经典粒子所产生的电流.这样的准经典粒子称为空穴。半导体如锗和硅晶体的能带结构,类似于绝缘体,导带中没有电子而价带是满带,但其间的禁带宽度较小,如硅约1.1eV,锗约0.7eV。常温下,由于热运动,少量在价带顶部的能量大的电子就可能越过禁带而升迁到导带中去成为“自由电子”,这些电子可以通过电子导电形成电流。由于电子的升迁,在原来是满带的价带中就空出了相等数量的量子态,其余未升迁的电子就可以进入这些量子态而改变自己的量子态。这些空的量子态叫空穴。由于空穴的存在,价带中的电子就松动了,也就可以在电场的作用下形成电流了。特征1.荷电量与电子相等但符号相反,既荷+q2.有效质量数值等于价带顶空态所对应的电子有效质量,但符号为正,即mp=-mn3.速度为价带顶空带所对应的电子速度4.浓度等于空态密度p0。
因为N型半导体,主要是在硅原子中掺杂了V族元素,V族元素外层的四个电子会和硅原子外层的四个电子形成共价键,这样多出的一个电子就会挣脱原子核的束缚变为自由电子。而共价键中的电子由于热运动也会脱离共价键的束缚从而成为自由电子,同时在共价键上形成一个空穴。 所以N型半导体中自由电子比空穴多。 空穴是由于共价键中的电子由于热运动而脱离共价键的束缚从而成为自由电子,同时在共价键上形成一个空穴。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)