第一代、第二代、第三代半导体材料分别是？

1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。

2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

3.第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

扩展资料

Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。

但是第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导d、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。

参考资料百度百科——半导体材料

文昌建设国内首个商业航天发射场，具有很大方面的利处，像技术领域，航天建设领域等，都会有所发展，但是在全网热度比较低，其实很多不了解这个领域的个人或者企业并不会特别清楚，如今国内现有的航天发射场并不是十分宽松富裕，像这次建设的低纬度的优质发射场，国内还是更是相对比较紧缺的，小编希望国家或者航天公司继续向科技领域转变，以发展科技为中心目标。

小编一直比较关注和支持国内的商业航天企业发展，尤其是像蓝箭航天一样的其他航天企业，希望文昌的航天发射场能够顺利建设完成，也希望未来国内的其他商业航天企业不断进取发展，为祖国航天事业涂上光鲜亮丽的一笔。

近两年，国内航天发射任务增长速度加快，照这个速度下去，未来发射场陷入瓶颈问题也完全是可以预料到的。海南文昌在原来发射场的基础上新建，不仅能够补充发射场的需求问题，还具备了低纬度、海运便捷、配套健全等优势，希望这次文昌新建的发射场定位更加明确，据说此次航天发射场面向的领域是商业航天，对比较注重经济型商业航天的我国来说，低纬度的发射场有助于火箭的有效载荷，其重要性不言而喻。

文昌国际航天城对准的是世界商业航天发展前沿，是国际一流的航天发射场，希望它能够发挥作为商业航天发射场的区位优势与自贸港政策优势，产生叠加效应，有效助力海南文昌加快构建火箭链、卫星链、数据链等产业的生态体系，使海南建设成为世界一流的国际航天城。说实话，资本涌入的早期自然会不可避免出现一些良莠不齐的情况，但随着市场机制建立并逐步运作，出现坑蒙拐骗，不思进取等行为的企业迟早会被社会所淘汰 。

这个比较不对称，民企航天火箭是一个宏观广泛总成的体系，其范围包含了芯片半导体。而民企芯片半导体本身也是个微观又无可取代的体系，两者难度系数挑战都极大。

如果硬要比较难度，目前情势上芯片半导体无法解决的难点大于航天火箭，一旦解决了芯片难点，火箭难题也迎刃而解。

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