武汉弘芯项目烂尾背后:武汉合肥半导体产业优势对比与风口的思考

武汉弘芯项目烂尾背后:武汉合肥半导体产业优势对比与风口的思考,第1张

自中兴、华为事件发生后集成电路的地位不断提升, 社会 与资本对集成电路产业的认识也不断加深。发展集成电路产业的初衷确实是为了实现国产替代、自主可控,虽然这种思路没错但格局着实有点狭隘。当然如果将中国集成电路产业放到实现国家战略安全的地位,对产业的认识也会更深刻一些。

顶层设计的确瞄向了国家战略安全这一方向,但落脚到这个产业中,产业和资本的高度还是无法达成统一,因为各自的诉求不同。以中微公司创始人尹志尧为代表的产业从业者固然可以做到十年磨一剑,将刻蚀设备做到全球一线水平,但狂热资本的不断涌入,更多的是看到科创板、注册制等的实施带来的短期套利空间,毕竟相比以往如今上市的门槛和难度大幅降低。

集成电路是一个技术密集型、知识密集型和资本密集型的产业,如果放到国产替代和国家安全的角度还是一个政策密集型的产业,如果将这四种重要的要素实现深度整合,当然是最理想的状态,但如果这四种要素中任何一个对集成电路产业的理解与认知出现偏差甚至误区,则会出现很大的问题,20年前的"汉芯一号"造假事件如此,武汉弘芯项目烂尾也是如此。

武汉弘芯一开始就对这个行业的理解有所误区,比如一开始就定下的不切实际的目标。武汉弘芯项目原计划投资1280亿元,主要投资目标是建成一条月产能3万片的14nm逻辑工艺生产线、月产能3万片的7nm及以下逻辑工艺生产线以及相应的晶圆级先进封装生产线,但在2017年国内最好的晶圆代工厂中芯国际刚搞定28nm HKMG工艺不久,直到2019年才在梁孟松的带领下搞定了14nm FinFET工艺。

2017年全球晶圆厂中有能力量产14nm及以下FinFET工艺的也就台积电、英特尔、三星和格芯,其中台积电和三星将技术节点推进到10nm,格芯是12nm,英特尔是14nm++ FinFET工艺,与格芯的12nm相当:

行业龙头也刚推进到14-10nm,武汉弘芯一开始就要上马14nm,就当是国内集成电路的产业基础,可能吗?

2017年国内技术达不到,资本目的不纯,政府对集成电路产业认知较浅,武汉弘芯项目如何推进?

可惜了蒋尚义的一腔热血。

武汉的集成电路产业基础还是相当薄弱,更没法与江苏和上海这两个产业集聚地相比,将之比喻为荒漠中的绿洲也不为过。

按申万行业分类,目前在A股上市的湖北半导体企业有盈方微和台基股份两家,其中台基股份主要从事大功率半导体器件的生产与销售,是一家功率半导体企业。但盈方微在湖北荆州,台基股份在湖北襄阳,均不在武汉。

在新三板上挂牌的湖北半导体企业是思存 科技 (839113.OC),公司主要研发与销售多种类别的Wi-Fi模块及相关解决方案。公司在技术上得到高通的支持, 2019年营收与净利润分别达到2.50亿元和0.08亿元,业务规模与盈利能力较弱。

东芯通信(430670)是位于合肥市的一家从事LTE基带芯片研发、销售及提供解决方案的供应商,但目前由于4G网络已经成为过去,公司业绩也一落千丈,2019年营收仅有0.15亿元,净利润亏损0.12亿元,已经连续四年亏损。

过去的终究要过去。

在光模块及光芯片领域武汉具有一定优势,光迅 科技 、华工 科技 具有较强的技术实力,其中光迅 科技 是国内少有的业务涉及光芯片、光器件和光模块产业链的企业,而且公司依靠大股东烽火集团旗下的烽火 科技 ,产品可以很好的切入终端。但是在目前火热的高通量光模块领域公司相比中际旭创和新易盛有所滞后,相比已经研发出1000G光模块的华为以及Finisar等国外巨头差距更是明显:

合肥与武汉在存储器领域的竞争优势相当明显。武汉长江存储在3D NAND领域已经形成一定规模,技术上4月份推出的X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的存储器件。技术上与海力士、三星、铠侠等差距也就1-2代,如果公司能及时推出196层甚至256层3D NAND,技术上的差距已经相当小了。另外武汉新芯(XMC)除了Nor Flash等存储器件,自有晶圆厂也可以为客户提供55nm制程的低功耗逻辑和射频等工艺。

在DRAM领域合肥长鑫实现了重大突破,公司现有产品主要有DDR4内存芯片、LPDDR4X和DDR4模组,而且在中低端消费电子领域实现商业化。不过目前三星、海力士等已经将技术延伸到DDR5,在技术上还有一代的差距。

在半导体设备领域领域,武汉精测电子和合肥芯碁微是具有代表性的企业。精测电子是从事TFT-LCD/OLED等平面显示信号测试技术研发、开发、生产与销售的企业,在平面显示信号测试领域位于国内领先水平。不过公司目前将业务向半导体检测延伸,未来公司有望形成平面显示+集成电路检测双主业格局。

合肥芯碁微主要从事以微纳直写光刻技术为核心的直接成像设备及直写光刻设备研发、制造及销售,但目前公司的直写光刻机主要用于PCB,在平面显示领域有一定布局。由于技术自身局限,合肥芯碁微的直接成像技术还不能很好的应用于硅基半导体器件深亚微米节点的制造。

综上所述,从目前集成电路产业布局来看,除了长江存储和合肥长鑫的存储器件,武汉和合肥的集成电路产业发展水平总体逊于江苏和上海,但以光迅 科技 为代表的光模块企业、以精测电子、合肥芯碁微为代表的设备制造企业在个别领域具有一定规模。

除了合肥长鑫,合肥的集成电路产业亮点不多,但如果从产业链布局来看,合肥的产业基础要略好于武汉。

集成电路产业链主要分为设计、制造和封测,目前武汉和合肥在设计领域存在明显短板。武汉昊昱微电子是从事功率半导体及模拟半导体设计的企业,公司基于CMOS、BiCMOS、BCDMOS等工艺开发了HYM533低功耗8位四路DAC、音频功放IC等器件;合肥比较具有代表性的设计企业有合肥芯谷微电子、合肥恒烁半导体等设计企业,而且这些企业由"最牛风投机构"合肥市政府投资,部分设计企业颇具特色,但相比圣邦股份、兆易创新等企业,差距太明显。

在封测领域合肥的基础要好得多,而武汉则一片空白。封测领域合肥目前拥有合肥合晶和合肥速芯两家封测企业,其中成立于2000年的合肥合晶覆盖TO、SOT和DIP封装技术;成立于2018年12月的合肥速芯是集成电路行业咨询公司摩尔精英旗下封测企业,拥有QFN、BGA、SiP等封装技术:

当然合肥速芯的竞争力还来自于摩尔精英在集成电路行业中的资源整合能力,这一点可能是合肥合晶所不拥有的。

在制造领域武汉和合肥均有晶圆厂,其中合肥长鑫和长江存储各有一座300mm晶圆厂,主要是这两家企业均采用了IDM模式,这也是三星和海力士等存储器龙头的典型模式。除此以外PowerChip和XMC(武汉新芯)分别在合肥和武汉拥有一座300mm晶圆厂,产能较小,而且主要以成熟节点为主。

合肥集成电路产业的优势是打通了设计、制造和封测,武汉虽然有武汉新芯这样的晶圆代工厂,但封测还有短板。

当然在光模块等领域武汉有独特的竞争优势。

有人曾将中国半导体投资者归纳为无知者无畏型、无耻者无畏型和既无知又无耻型三类,其中无知者无畏型主要是地方政府,出于各种目的往往会出现"义和团"式的"造芯运动",典型代表就是武汉弘芯这个烂尾项目。无耻者无畏型主要是产业内企业"杠杆"式的"堵芯",怀着撞大运的心理借着主业的成功赌博式发展集成电路这个副业。既无知又无耻型就是那些暴躁狂热的资本,他们对产业规律视而不见,搞跨界投机式的"骗芯"。

一级市场如此,二级市场同样炒作投机之风盛行,最典型的就是中芯国际上市前后的炒作以及半导体板块的暴涨暴跌,让一众投资者吃了闷瘪。

集成电路行业是一个大投资、重积累、长周期、慢回报和高风险的行业,科创板和注册制的推出只是解决了一个资本顺利退出的通道,但产业本身特征是无法在资本加持下能改变的,如果只是抱着投机甚至赌或骗的心态闷头扎入集成电路行业,可能自己怎么没的都不知道。

65nm制程的SoC芯片设计及流片成本2850万美元,16nm的设计及流片费用高达1.06亿美元,足可以让很多中小型设计企业倒闭好多次了。

全球存储芯片的格局非常明确,以韩国三星,SK海力士和美国美光这三大巨头为主,在各大存储芯片领域中占据核心技术和市场份额的主要优势。常见的NAND,DDR5以及DRAM都掌握在海外巨头手中。

但其实国产存储芯片已经开始提速了,两大喜讯接连传来,完成了从0到1的关键突破。具体是怎样的喜讯呢?国产存储芯片产业格局如何?

存储芯片的重要性是显而易见的,手机,电脑设备想要运行文件,存储数据,那么存储芯片将会是不可或缺的存在。

根据存储芯片种类的不同,赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度,而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地,就已经是很大的突破了。

国外巨头因为起步时间早,有庞大的资本开支优势,再加上产业链发展完善,取得领先也是能理解的。但后来居上,实现反超的例子也不是没有,国产存储芯片传来两大喜讯,已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢?

第一大喜讯:昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线

对存储芯片有一定了解的人都知道,DAND,DRAM等是发展了几十年的存储芯片,已经发展出完整的全球化产业链,相关的技术,配套设施和人才储备也十分完善。

可是在人工智能,云计算等日益发展迅速的新基建领域, 探索 新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片,它的优势体现在读取速度快,功耗低,应用范围广阔。

昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司,其成立于2019年,在今年2月中旬正式传来消息,建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。

基于这座生产线,昕原半导体可以更快将研究成果落地,补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。

值得一提的是,在新型的ReRAM阻变存储器产业中,入局的玩家还不是很多,而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外,昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着,中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会,未来可期。

第二大喜讯:曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片

相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器,合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称,合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片,成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。

DDR5是计算机内存规格的芯片,相比于DDR4等前几代内存条,DDR5的性能更加出色,且功耗更低,是当下主流的高性能,高品质内存芯片。

DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中,制造出的DDR5被各国客户争相下单采购,国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。

然而喜讯传来,消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产,且还是17nm的工艺制程。在这一领域内,17nm已经是非常先进高端的水准了。

若爆料消息无误,则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外,合肥长鑫也一直在努力提升产能,得益于背后资本的支持,合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标,而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月4.5万片。

以上两个关于国产存储芯片的喜讯接踵而至,一个是昕原半导体在新型ReRAM阻变存储器建成生产线,为国产新型存储芯片产业发展提供更多的可能性。

另一个是合肥长鑫计划今年投产DDR5内存芯片,在17nm工艺的支持下,将有望拿下DDR5市场的一席之地,打破海外巨头单一市场垄断的局面。

不难发现,这两个喜讯都是实现了从0到1的突破,昕原半导体的ReRAM生产线是国内首条,合肥长鑫投产DDR5也是国内首个参与者,可见国产存储芯片已经开始提速。

其实不只是这两大国产存储芯片巨头,在其余的长江存储,福建晋华等等存储公司的参与下,构建了如今存储芯片产业快速破局的格局。他们要么是兴建生产线,要么加快技术研发突破,齐聚力量之下,相信定能为国产存储芯片创造全新的未来。

海外巨头长期耕耘技术研发和产业发展,国产企业要想加速进步,还得一步一个脚印。首先要树立发展目标,其次包括人才资源,紧接着努力将研究成果落地产业。正所谓一分耕耘一分收获,希望国产企业的耕耘都能得到应有的收获。

对国产存储芯片的两个喜讯你有什么看法呢?

京东方只做lcd。

东方科技集团股份有限公司(BOE)创立于1993年4月,是一家为信息交互和人类健康提供智慧端口产品和专业服务的物联网公司

公司简介

2019年,京东方新增专利申请量9657件,其中发明专利超90%,累计可使用专利超7万件。  美国专利服务机构IFI Claims发布数据显示,2019年BOE(京东方)全球排名跃升至第13位,连续4年在IFI TOP50榜单中实现排名与美国专利授权量双增长 。

世界知识产权组织(WIPO)发布2019年全球国际专利申请(PCT)情况,BOE(京东方)以 1864件PCT专利申请量位列全球第六。

2019年BOE(京东方)营业收入突破千亿元,达1160.6亿元,同比增长19.51%;归属于上市公司股东的净利润为19.2亿元。 目前,BOE(京东方)在北京、成都、绵阳、合肥、鄂尔多斯、重庆、福州、武汉等地拥有14条半导体显示生产线。

其中包括全球首条最高世代—京东方合肥第10.5代TFT-LCD生产线 及中国首条第6代柔AMOLED生产线—京东方成都第6代柔性AMOLED生产线。  此外,BOE(京东方)子公司遍布美国、德国、英国、法国、瑞士、日本、韩国、新加坡、印度、俄罗斯、巴西、阿联酋等19个国家和地区,服务体系覆盖欧、美、亚、非等全球主要地区。


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