是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IB的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能运算设备及降低电机的能耗(电机乃全球最大之耗能设备),是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统及宇航系统的电源管理基准。
1、消炎作用:SUNDOM-300IB型半导体激光治疗仪能够激活或诱导T、B淋巴细胞或巨噬细胞产生细胞因子,通过淋巴细胞再循环而活化全身免疫系统,增强巨噬细胞的吞噬能力,提高非特异性免疫或特异免疫的作用,半导体激光照射可抑制或降低炎症止痛作用。
2、改善局部血液循环:SUNDOM-300IB型半导体激光治疗仪激光直接照射血流减少的疼痛部位或间接照射支配此范围的交感神经节均可引起血流增加,促进致痛物质代谢,缓解疼痛。
3、激活脑内啡肽系统:机体接受半导体激光照射后可增加脑肽代谢,使脑内类吗啡样物质释放加快,而缓角疼痛。
4、抑制神经系统传导:半导体激光不仅抑制刺激的传导速度,亦抑制刺激的强度及冲动频率。激光对疼痛刺激引起的末梢神经冲动、传导速度、强度及冲动频率均有抑制的作用。
5、激活下行抑制系统:激光照射刺激可上行性传导至脊髓后角,同时又激活下行抑制系统。
6、组织修复:激光照射可促进新生血管生长和肉芽组织增生,刺激蛋白质合成。毛细血管是肉芽组织的基本成分之一,是完成伤口愈合的前提条件,肉芽组织毛细血管越丰富,组织供氧量越充分,有助于各种组织修复细胞的代谢和成熟,促进胶原纤维的产生、沉积和交联。
7、生物调节:激光照射后,可增强机体的免疫功能,调节内分泌,对血液细胞还可达到双向调节作用。
这个问题三言两语难以说清,看看元增民《模拟电子技术》第20页和21页,也许有助于解决您的疑问:逗以NPN型BJT为例,有如下四个因素影响各电流的形成。(1) 基区尺寸很小尺寸很小的基区好像狭窄的道路或山梁拥挤不堪。(2) 基区空穴浓度很低基区空穴浓度很低使得从发射区到达基区的电子中,只有少量电子有机会与基区的空穴复合而形成基极电流,相当于很逗荒凉地,兔子不拉屎,电子难安家。(3) 发射区自由电子浓度很高(4) 集电区尺寸较大并接有正电源集电区尺寸较大并接有正电源。集电极正电源Ucc对NPN型BJT中由发射区流到基区的大量电子是一个很强的吸引力。就是说,由于基区尺寸很小且空穴浓度很低,而发射区自由电子浓度很高,所以从NPN型BJT发射区流向基区的大量电子中,只有少数得以与基区的空穴复合(安家)而形成较小的基极电流Ib,多数电子横向越过狭窄的基区奔向广阔的集电区并到达集电极,被集电极正电源所俘获而形成较大的集电极电流Ic。基极电源本来是要形成基极电流ib,实际上却为集电极电流ic的形成帮了大忙。形象地说,NPN型BJT的基极和集电极加有正电源时,尺寸很小且掺杂很少的基区好像狭窄荒芜的山梁,容不得电子逗安家地,而与正电源连接的集电区好像陡峭广阔的山坡,从发射极出发的大量电子到达基区时拥挤在一道狭窄荒芜的山梁上,结果只有少数电子到达基极,多数电子顺势滚落在集电区这个山坡下,形成较大的集电极电流。基区尺寸很小、基区载流子浓度很低、发射区载流子浓度很高及集电区尺寸较大这样四个内在因素,加上集电极正电源的吸引力这样一个外部条件,最终使BJT集电极电流是基极电流的很多倍,这就是人们通常所说的BJT电流放大能力。地指明作者及书名,主要考虑尊重版权法。由于晶体管三个区的尺寸及掺杂浓度都是确定的,所以集电极电流与基极电流的比例也就固定了,这个比例就是电流放大倍数β。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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