有机硅的行业发展

行业主要上市企业：合盛硅业(603260)、通威股份(600438)、瓦克尔化学(WCH)等

本文核心数据：全球有机硅产能产量、中国有机硅DMC产量、中国有机硅表观消费量

1、 全球有机硅产能向中国国内转移趋势明显

有机硅，即有机硅化合物，是指含有Si-C键、且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的一大门类化合物，包括各类小分子化合物和高分子聚合物。其中，以硅氧键(-Si-O-Si-)为骨架组成的聚硅氧烷，是有机硅化合物中为数最多，研究最深、应用最广的一类，约占总用量的90%以上。其中，功能性硅烷，与硅橡胶、硅油及硅树脂并称为有机硅材料四大门类。

根据全国硅产业绿色发展战略联盟的数据显示，2008-2023年全球有机硅产能呈现波动趋势由于全球对于环保的重视导致淘汰了一批劣质的中小企业从而导致全球产能出现波动。根据SAGSI的预测，2023年全球有机硅产能和产量将分别达到364万吨/年、267万吨/年。

根据全国硅产业绿色发展战略联盟的数据显示，我国自2014年起由有机硅净进口国转变为净出口国，2020年有机硅累计出口24.3万吨，同比增长8.5%，进口15.2万吨，同比增长2.9%。如今，我国已成为有机硅生产和消费大国，国内有机硅产品优势愈加凸显。

2、供需关系：需求较为旺盛带动有机硅DMC产量逐年上升

有机硅材料主要生成DMC中间体，占比达到80%左右。根据全国硅产业绿色发展战略联盟的数据显示，截至2020年底中国有机硅DMC产能约169万吨，同比增长6.3%2020年全年累计产量134万吨，同比增长11.5%，行业开工率约80.0%。

从需求端看，近十余年，我国的有机硅产品需求较为旺盛，需求量保持了快速增长。根据中国有色金属工业协会硅业分会的统计数据，2020年中国有机硅表观消费量66万吨，同比增长11.0%2015-2020年的CAGR为11.1%。

随着中国经济转型的逐步推进，居民收入水平的快速提升，以及“中国制造2025”、“一带一路”国家战略的稳健实施，中国有色金属工业协会硅业分会预计我国有机硅表观消费量仍将保持中高速增长。

3、不仅仅着眼在传统行业，更是在新兴产业继续发光发热

有机硅材料以其优异的性能在国民经济中扮演“工业味精”的角色，被广泛应用于建筑，电子电器、纺织服装、能源，医疗卫生行业等等。2020年上半年受疫情影响，传统需求像是汽车行业受到较大打击，但我国防控疫情得当，出口超出预期，其传统需求已有所好转。

此外，由于有机硅材料拥有优异的耐高温、耐压缩、耐辐射以及导电性能，有机硅材料大量应用于新经济领域，像是5G、新能源车、可再生能源、芯片半导体等新兴产业将会带动有机硅材料进一步发展。

更多数据请参考前瞻产业研究院《中国有机硅行业市场需求预测与投资战略规划分析报告》。

在结晶法中,通过加入不溶的添加物即晶种,形成晶核,加快或促进与之晶型或立体构型相同的对映异构体结晶的生长. 一、结晶之简介 1. 结晶是纯质从一均匀相中所析出之高纯度之固体。 2. 组成之基本单位为由其成份原子、分子或离子在三度空间排列 整齐所构成之晶格。 3. 结晶之发生必需有过饱和之存在。 4. 结晶产品之纯度，通常为99％以上；如再结晶，则纯度可?small>99.9％或 99.99％，甚至更高。 二、晶体种类 1. 金属晶体 金属晶体－－由阳离子产生静电力，使带正电原子结合一起而和周围电子云结 合而成。 2. 离子晶体－－由阴电性差异很大的阴阳离子结合。 3. 共价晶体－－利用共用电子对形成。 4. 分子晶体－－由凡得耳力结合。 5. 氢键晶体－－由氢键结合而成。 6. 半导体－－因杂有微量不纯物，结晶体有孔洞产生。 三、晶体形状 1. 三斜晶体：三结晶轴互相斜交。其长度均不同。 2. 单斜晶体：三结晶轴均不等长，其中两轴互相斜交，但皆垂直於第三轴。 3. 斜方晶体：三结晶轴均不等长，互相垂直。 4. 正方晶体：三结晶轴互相垂直，其中两轴等长，另一轴不等。 5. 三方晶体：等长三轴互相倾斜，且倾角相等。 6. 六方晶体：三轴等长，且相交成60度角。另一不等长的轴则与此平面垂直。 7. 等轴晶体：三轴相等，且相互垂直。 四、结晶习性 1. 结晶习性，俗称晶癖，指结晶成长过程中，各晶面相对的生长率。 2. 各晶面生长率随晶体本身之性质及外界之条件而变化。 3. 影响晶癖的主要因素 (1)溶剂种类 (2)不纯物的含量 (3)搅拌速度 (4) 溶液的PH值 (5) 溶液温度 五、结晶之赫夷定律 同一溶质所析出的晶体，其边长与面积的大小可能不同，然而各相 对 的夹角均相同；即析出之晶体均成几何相似，此为赫夷定律。 六、结晶之迈耶理论 1. 迈耶提出在溶解度曲线以上的过饱和区，再以过溶解度曲线分为不安 定区及准安定区。 2. 准安定区：只能成长晶体不能生成晶体，故需加入少数微小晶体，作 为晶种；如控制得当，可得较大之晶体。 3. 不安定区：会有大量微小晶体析出，分享了过饱和溶质的量，使晶体 无法长大，故成为微小的晶体。 七、结晶之方法—过饱和 1. 结晶之步骤： (1) 晶核之生成: 单位聚群晶胚晶核 (2) 晶体的生长：晶核结合了动力单位而形者。 2. 达成过饱和之方法 (1) 冷却法：溶质之溶解度变化很大时。 (2) 溶剂蒸发法：溶质之溶解度随温度变化很小时。 (3) 盐析法：在溶液中加入第三种物质，藉以急速降低溶质之溶解度。 (4) 绝热蒸发法：急速蒸发，可降低溶液温度，同时减少溶剂的量。 3. 影响结晶的因素： (1)晶种：在准安定区结晶，可获得大颗粒结晶。 (2)温度：温度不同，则溶液的饱和度不同。 (3)杂质：有杂质存在，则晶形不同。 (4) 搅拌：对於高黏度容液的结晶，搅拌，可以促进晶核成长。 八、晶体之纯度与母液 1. 晶体与溶液分离时可能含有母液。 2. 可用过滤或离心分离，或以新鲜溶剂洗涤。 九、结晶之管理与 *** 作 结晶之目的在於求得适当大小及形状之高纯度晶体。 应注意事项如下： 1. 以适当加热方式除去多余之晶核。 2. 避免快速冷却及过大之过饱和度，以防止大量晶核产生。 3. 保持均匀之过饱和。 4. 选用器壁平滑之结晶器。 5. 减少碰撞及摩擦，以避免产生新晶核。 结晶介绍 http://content.edu.tw/vocation/chemical_engineering/tp_ss/content-wa/wchm2/wpage2-5.htm参考资料： http://content.edu.tw/vocation/chemical_engineering/tp_ss/content-wa/wchm2/wpage2-5.htm

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