p型半导体是在本征半导体中加入微量的什么元素构成的

答案如下：

在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,

只受到磷原子对它微弱的束缚,因此在室温下,即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子,游离于晶格之间.失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子.磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子,又称施主杂质.

在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子,而本征激发产生的空穴的数目不变.这样,在掺入磷的半导体中,自由电子的数目就远远超过了空穴数目,成为多数载流子（简称多子）,空穴则为少数载流子（简称少子）.

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ） A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素 N：negative（负）的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来 2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于（ A） A 发射结正偏、集电结反偏 B 发射结正偏、集电结正偏 C 发射结反偏、集电结正偏 D 发射结反偏、集电结反偏 3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是（ B ） A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管 假定该管子为NPN型,由于是放大电路,那么就是Ue

P型半导体不是在本征半导体参入五价元素获得的。在本征半导体中掺入5价的元素可以得到N型半导体。例如，现在用的最多的硅本征半导体，掺入5价的元素磷或锑都可以，使其转变为N型半导体。在本征半导体中掺入微量的3价元素等元素杂质时的半导体,称为P型半导体。

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