半导体litho和etch区别

区别在于工艺研发不同。

etch意思是干法刻蚀，lithography，litho，photo都指光刻。etch只负责etch工艺研发，litho只负责litho工艺研发。工艺部门最好的是litho第二是etch。

一般半导体研发中litho在前，etch在后。litho曝光完成对图案的传递后，再利用etch蚀刻技术把图案转移到光刻胶下面的film中。

Anisotropic Etch 主要是在etch的时候对材料的各个方向的腐蚀速度不一样~比如说硅，用KOH对100向和110向的硅蚀刻的时候，速度就完全不一样~100会快很多~

Dry etch的话，主要是将一些气体电离成离子态，然后用电磁加速打向目标，与目标材料反应~

其实我觉得你说的这两个东西其实不是一个横向可比的东西。。

etch可以根据腐蚀是否有方向性分为 Anisotropic 和 Isotropic两种。

如果以用作蚀刻的材料来分，可以分为wet（比如上面说的KOH）和dry（典型是RIE，Reactive Ion Etch）两种。

如果硬要比的话，dry etch要比anisotropic etch好，因为dry etch可以提供一个非常好的side wall~就是说蚀刻后的那个洞的内壁和底部可以做到几乎垂直~不过具体效果要看dry etch的方法和材料以及目标材料~

金属刻蚀，poly刻蚀，氧化物刻蚀。具体工艺条件无法，只能简单的说，这3中刻蚀在半导体行业都是干法刻蚀，也就是dry etch。主要区别在于所有的刻蚀气体不一样，比如，金属刻蚀用CL2，氧化物刻蚀用C4F6，C5F8。 晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留的是特征图形部分。光刻工艺在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、电容、电阻和金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻生产的目标是根据电路设计的要求，生成尺寸精确的特征图形，并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件（parts）的关联正确。光刻是所有四个基本工艺中最关键的。光刻确定了器件的关键尺寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻工艺中的另一个问题是缺陷。光刻是高科技版本的照相术，只不过是在难以置信的微小尺寸下完成。在制程中的污染物会造成缺陷。事实上由于光刻在晶圆生产过程中要完成5层至20层或更多，所以污染问题将会放大。工序一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。

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