什么是GDS？

GDS是上海的一支WAR3 DOTA战队，队长LAY，主要成员包裹FINDY、LAN、包2等。战队成立于2007年4月，由队长与其同学一同组建，经过半年发展，成员已经超过30人。曾参加过多项国内赛事，成绩卓越，目前还在不断壮大中。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。

增强耗尽接法基本一样。

无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。

扩展资料

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

参考资料MOS管＿百度百科

1、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

2、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

3、利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

4、组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

5、场效应管的抗辐射能力强；

6、由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

扩展资料：

场效应管分为接合型场效应管和MOS型场效应管两类。

接合型场效应管即使栅极电压为零，也有电流流通，因此用于恒定电流源或因低噪音而用于音频放大器等。

MOS型场效应管因其结构简单、速度快，且栅极驱动简单、具有耐破坏力强等特征，而且使用微细加工技术的话，即可直接提高性能，因此被广泛使用于由LSI的基础器件等高频器件到功率器件（电力控制器件）等的领域中。

参考资料来源：百度百科——场效应管

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