高压线上的半导体作用是:当屏蔽层
在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触,从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电,这一层屏蔽为内屏蔽层,同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙,是引起局部放电的因素,故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层,它与被屏蔽的绝缘层有良好接触,与金属护套等电位,从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电,这一层屏蔽为外屏蔽层,
半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。
KFC引线框架铜带属Cu-Fe-P系铜合金,它具有高导电性、高导热性,良好的耐蚀性、耐氧化性、耐疲劳性和较高的抗拉强度、延展性、硬度等许多优良特性。该产品主要用于制造分离式半导体引线框架和新型分立器件等C7025合金为Cu-Ni-Si合金,为高du性能沉淀硬化铜合金,具有极高强度、高d性、耐热性、搞疲劳性,同时兼备了高导电性等优点,在很多要求高导电性的场合能够替代高d性铍铜。
C7025化学成分如下图:
C7025机械性能如下图:
C7025又称铜镍硅合金,为含有镍和硅的铜合金,硅又称矽,此为高导电率及高d性合金,不需热处理,具有良好之冲压成形性,不含金属铍,故具经济性及不含毒素。具有带色泽美观,高导电性,电热性,耐蚀性,耐氧化性良好,较高的强度,延展性,硬度,耐疲劳性可镀性,可焊性。其有良好的成型性能、又有高耐力松弛能力和适度的导电性能的高强度零件,C7025用于制造需要良好的成型性能、又有高耐力松弛能力和适度的导电性能的高强度零件,如触点d簧、接插件、引线框架。广泛用於继电器、手机零件,以及开关、耳机插座,是可取代低铍含量的铍铜电子铜带为制造集成电路及半导体分立器件的基础原料,如电子电器类集成电路、大中功率管、计量测,发光二极管和LED支架,通信、试仪器、连接器、端子等。
C7025镍硅青铜主要特性:镍硅青铜具有良好的成形性和耐应力松弛性能,导电性适度,可用作触点d簧、接插件和引线框架等。
C7025镍硅青铜有良好的力学性能、抗蚀性和导电性。Ni与Si可形成化合物Ni2Si,于共晶温度1025℃在固溶体中的固溶度可达9%,而室温时的固溶度几乎为零。因此,当合金中的Ni、Si含量比为4:1时,可全部形成Ni2Si,有较强的时效硬化作用,使合金具有良好的综合性能。合金中的Ni/Si比值小于4时,虽有高的强度与硬度,但其电导率与塑性会降低,不利于压力加工。向Cu—Si—Ni合金添加少量(0.1%~0.4%)Mn,可改善合金的性能。因为Mn既有脱氧作用,又有固溶强化效果。
特别的C7025可以进行温度时效处理。其效果就像是再次压延,使材料变的更有硬度及强度,同时又增加导电率及延伸率。
C7025高导电高性能镍矽铜带,又称硅青铜,为含有镍和硅的铜合金,硅又称矽,此为高导电率及高d性合金,不需热处理,具有良好之冲压成形性,不含金属铍,故具经济性及不含毒素,广泛用於继电器、行动电话零件,以及开关、耳机插座,是可取代低铍含量之铍铜。
C7025是铜镍合金,属于白铜类,具有冷加工性优、热成型好,冷热钎焊和气体保护弧焊优等特点。它主要用于制造需要良好的成型性能、又有高耐力松弛能力和适度的导电性能的高强度零件,如触点d簧、接插件、引线框架。其元素含量及物理元素如下图:
C7025相对C5191、C5210而言是一种比较贵一点的磷青铜!属于高电导铜合金片,主要用于高导电性能的产品。
C7025合金为Cu-Ni-Si高性能沉淀硬化铜合金,具有极高强度、高d性、耐热性、高疲劳性,同时兼备了高导电性等优点,在很多要求高导电性的场合能够替代高d性铍铜。
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