N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么?

N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。因为N型半导体是在本征半导体中参入了5价元素的杂质砷(As)，每个砷(As)原子有一个价电子不参与共价键，这个过剩的价电子能很容易逃脱原子的束缚而自由移动。这种由杂质提供的价电子就成为N型半导体的多数载流子。

在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，虽然有多余的电子在半导体中可以自由运动，但N型半导体是不带电的。

之所以N型半导体中有电子是作为载流子，但电子的产生是因为硅晶圆中的硅原子，被掺杂了磷原子。磷原子因为比硅多一个电子，取代硅原子的位置后，多出来的一个电子形成自由流动的载流子。但因为磷原子带一个单位的正电荷，所有N型半导体总体上是不带电的。

n代表negative 表示富电子体系。一般是硅杂V族元素，多了电子。所以大多数载流子是自由电子。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子。

扩展资料：

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时。

可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。

参考资料来源：百度百科-N型半导体

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