半导体器件物理

当尺寸缩小时，引起阈值电压下降的主要原因是“短沟道效应”——电荷电荷共享所致。

其他引起阈值电压下降的因素就是温度的升高，但这不管尺寸是否较短，都是有影响的。

至于窄沟道效应，将要引起阈值电压增大（边缘电场所致），而不是降低。

DIBL效应是导致输出伏安特性不饱和的一个原因，但一般并不影响阈值电压。

《半导体器件物理》由浅入深、系统地介绍了常用半导体器件的工作原理和工作特性。

为便于读者自学和参考，《半导体器件物理》首先介绍了学习半导体器件必需的半导体材料和半导体物理的基本知识；然后重点论述了PN结、双极性三极管、MOS场效应管和结型场效应管的各项性能指标参数及其与半导体材料参数、工艺参数及器件几何结构参数的关系：最后简要讲述了常用的一些其他半导体器件(如功率MOSFET、IGBT和光电器件)的原理及应用。

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