半导体垂直穿过磁场还是平行穿过磁场

半导体垂直穿过磁场。根据查询相关公开信息显示磁场是可以激发半导体材料产生空穴的，但自由电子和空穴必须成对产生条件是，半导体材料在磁场中运动，方向为垂直于磁力线方向，磁场足够强或半导体材料运动足够快。

磁场是可以激发半导体材料产生空穴的，但自由电子和空穴必须成对产生。条件是：

1，半导体材料在磁场中运动，方向为垂直于磁力线方向；

2，磁场足够强或半导体材料运动足够快。

实际上，半导体材料在强电场或磁场的洛伦兹力作用下“产生”自由电子和空穴的过程就是它的击穿过程，因为这是个雪崩过程，速度快而不可控。

网上找到一下内容，个人感觉温度是需要考虑的最大问题，其他的影响较小。

对半导体性质影响最大的是温度：禁带宽度与温度有关；载流子浓度更是与温度有关；载流子迁移率也与温度有关；半导体的体积等也与温度有关（热膨胀）。

光照影响：可产生非平衡载流子，导致光电导。

压力影响：压阻效应。

接触影响：形成pn结、金属-半导体接触等。

电场影响：可产生场致发射等。

磁场影响：半导体的Hall效应远大于金属。

气氛影响：表面状态与气氛有很大关系。

---