温度升高对导体和半导体性能的影响

温度升高对导体和半导体的影响是不同的。温度升高会造成导体晶格热运动加剧，会造成电阻的升高，因此导体多具有正的电阻温度系数。而对半导体来说，则由于温度的升高，使得载流子数量增多，迁移率加快，因而电阻变小。与此同时，漏电流也会增加。温度过高会使其性能劣化。

所謂的漏電流﹐是由于電容的絕緣介質中不完全的絕緣﹐而是有一定的阻抗﹐故存在損耗現象﹐而在一部份損耗以電流的形式表現出來就是漏電流。漏电流过大的一个原因可能因为芯片的process有问题导致的.一般的芯片用时间久了,其漏电流就会增大,常见的如手机待机时间不长,就是由于芯片的漏电流过大导致的.此外,对于漏电流,也可以采取一些保护设计的方式,进行改善,在下不是从事设计工作,所以不是特别清楚.big question. it can be a book.Basically, if the I leakage is less than 1x 10 -12 , you have a clean process.Process:STI influence the leakageGIDLDIBLSilicde漏电主要有以下几个因数导致1.设计:设计错误,或设计规则小于生产线规则2.工艺:表面漏电,主要是表面反型引起(缺陷只能导致局部漏电)3.测试一般不会造成漏电,除非外围搞错了一般来说设计规则和生产线规则严重不符的低级错误比较少见,除非你对这条生产线很熟悉,可以做极限试验,生产线脏污表面反型的可能性较大.问得太笼统了……半导体的东西其实囊括了太多太多的东西。。。要说这个漏电。。是输入漏电流还是输出漏电流啊！但主要是芯片内部直接与管脚相连的一级管子没有完全关闭造成的作IDDQ的测试.很想了解,ic线路内open是否也会造成漏电如果产品没有问题的话,通常是量测的问题,时间..测试次数..值的计算.....因素测试时湿度过大也会导致漏电流我这几天正在做这个问题的一个反馈，我做了功耗曲线的分析，我是做中测的，感觉是封装上出了问题，可能是没有弄金丝封装，原因好多，我 还不知道到底出在哪，准备去生产线山看看个人认为,实际生产中,尤其是稳定的线上生产产生漏电的最大原因就是污染,由于生产 *** 作的不规范造成.同意ls 生产线洁净度是控制金属离子玷污最大关键主要原因就是绝缘性能降低了，该绝缘地方或时候绝缘性能差了

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