半导体行业芯片封装与测试的工艺流程

封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户

随着我国经济的高速发展，半导体行业的发展也在迅速崛起，因此在半导体工业加工的过程中不可避免的会产生含有氟离子，铜离子，磷废水的污染物废水。

含氟离子废水处理：

将废水的p H值调整在6-7左右，再加入的过量的Ca

Cl2和适量的絮凝剂，后续会行形成沉淀，部分污泥循环成为载体，在沉淀池中通过重力沉降能够实现泥水分离。

第一次反应时能够去除80%的氟，再一次加入絮凝剂，氟化钙及其其他形态沉淀，利用污泥泵输送到污泥沉淀池,用板框式脱水机压成泥饼外运，这时候产生的压滤液进入其他的系统进一步处理。

含磷离子废水处理：

含磷废水中磷主要以PO43-为主，采用的方法为化学沉淀法和混凝剂沉降法的组合工艺，通过加入Ca

Cl2生成难溶于水的Ca5(PO4)3OH沉淀。

一级反应池的p H调整到5-6左右，二级反应池p H调整到8.5-9，三级反应池p

H调整到9-9.5(确保完全生成羟基磷酸钙)，此工艺流程比较简单，费用也比较低，对于含磷废水处理有很大的适用性。

与研磨废水进行混合：

将半导体器件制造中产生的电镀废水和研磨废水进行混合，混合废水泵入浸没式膜过滤装置过滤，过滤的水泵入纳滤膜过滤装置过滤，经过纳滤膜过滤装置过滤的水即可直接回用。

以上是小编整理的半导体工业废水的处理方法都有哪些，后期将会关于更多污水处理的相关内容。

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