真空腔体的内壁表面吸附大量的气体分子或其他有机物,成为影响真空度的放气源。为实现超高真空,要对腔体进行150—250℃的高温烘烤,以促使材料表面和内部的气体尽快放出。烘烤方式有在腔体外壁缠绕加热带、在腔体外壁固定铠装加热丝或直接将腔体置于烘烤帐篷中。
这种真空腔体是为减少了半导体应用中真空腔的个数而研发的,而晶圆容量几乎不变。这种结构采用了配备有压差真空凹槽的预置空气轴承的移动真空。产品的特点有改善的机台定位的静态、动态响应,抽气时间、稳定时间缩短等等欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
真空腔体的内壁表面吸附大量的气体分子或其他有机物,成为影响真空度的放气源。为实现超高真空,要对腔体进行150—250℃的高温烘烤,以促使材料表面和内部的气体尽快放出。烘烤方式有在腔体外壁缠绕加热带、在腔体外壁固定铠装加热丝或直接将腔体置于烘烤帐篷中。
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