首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项专利申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时，接受国家财政援助，在武汉新新的基础上建立长江仓储。
其次是中国半导体产业发展迅速，芯片领域的各种技术、设备、材料遍地开花。许多企业进入半导体行业，为中国半导体行业的发展做出了贡献。科技部缩减人才数量，3000名半导体精英回国报效祖国。虽然中国对芯片的需求供不应求，这是中国半导体行业的一个显著问题，但随着中国研究人员对EUV的进一步研发，中国芯片最终将走向全球市场。
再者是长江存储做了一个疯狂的决定，跳过96层直接挑战128层，与东芝、三星等大厂角力，正式挑战市场。好在长江存储再次证明了国内R&D人员的决心，全球首款128层3D NAND闪存研发成功。国产闪存芯片凭借业内最大内存存储和最快传输速度的优势，也让不少国外科技公司惊叹不已。
要知道的是中国存储行业追赶速度更快，但中美关系持续恶化，层层制裁和人才短缺仍是制约中国发展的关键因素。评价一下长江存储的NAND芯片，用于国内销售的部分iPhone。美国商务部工业与安全局(BIS)宣布修改出口管理条例，旨在进一步阻止中国发展其存储芯片能力和相关军事能力。
我国芯片制造领域传来了一个重大好消息。
我国芯片代工商“嘉合劲威”日前官宣，该司已经通过旗下品牌——阿斯加特发布新品AN4 PCle4.0 SSD，这款内存芯片的基于长江存储128层技艺。7月29日当天，观察者网联系长江存储代表人士确认了这个消息。 而这样就意味着，长江存储128层闪存芯片，顺利实现量产并完成出货，填补了我国高端存储市场的空白。
一直以来，高端存储芯片市场都是SK海力士、三星这2家韩国巨头的天下。 当前市面上的存储芯片主要分为DRAM和NAND两大类，而在DRAM领域，三星和SK海力士就占据了超过70%的市场份额，NAND的市占率也高达45%。
最新数据显示，2021年1季度，三星一家企业就占领了将近41%的内存芯片市场，SK海力士则分走了约29%的份额。 而在韩国几乎垄断了全球内存芯片市场之际，2020年10月，SK海力士还决定，斥资90亿美元（折合约582亿元人民币）买下美国巨头英特尔的闪存（NAND）业务。
SK海力士此举的意图也很简单，就是想扩大自身的内存芯片版图，从而对三星世界第一的位置发起冲击。 截至今年7月22日，已有新加坡、美国、韩国、巴西、英国等在内的7个国家和地区同意了SK海力士和英特尔的这笔生意，目前还剩下中国的监管机构没有“点头”。
要知道，靠着发展半导体产业，韩国的贸易有了突飞猛进的增长。 就在刚刚过去的6月，韩国贸易出口规模达到549亿美元，同比大增了近40%，创下有史以来6月最高的出口增幅；而这个已是韩国连续8月实现出口增长。
其中，半导体在5-6月已经连续两个月，实现100亿美元以上的出口业绩。 据韩国有关部门的数据，2021年上半年，该国在信息通信技术（ICT）领域突破了1030亿美元（折合约6657亿元人民币），为有史以来第二高的出口水平。
就6月的表现而言，韩国总计卖出了111.6亿美元半导体，存储芯片的出口占比接近70%，约达75.4 亿美元。 而中国还是韩国半导体的重要出口市场，6月自韩国手里购买了近70亿美元芯片（折合约452亿元人民币），同比增幅超过37%，在我国自韩国进口的商品总额占比约达75%。
虽然目前韩国没有在芯片领域追加出口限制，我国还可以自韩国市场进口芯片，但是美国那边却不好说。 就在7月上旬，有美国官员发出呼吁，希望美国商务部将我国企业长江存储列入观察的“黑名单”中。随后，在7月16日，长江存储也对此事官方回应称，该司的芯片产品均应用在民用领域，同时严格遵守WTO等国际组织的贸易规则，美国方面的说法失实。
要知道，长江存储于2020年4月成功研发的这款128层存储芯片，具备业界最高的IO速度，工艺水平在全球领先。 而据有关机构公布的数据，2020年中国的存储芯片规模已经达到183亿美元，预计到2024年将迎来500亿美元的里程碑。
文 |廖力思 题 | 曾艺 图 |卢文祥 审 |吕佳敏
全球存储芯片的格局非常明确，以韩国三星，SK海力士和美国美光这三大巨头为主，在各大存储芯片领域中占据核心技术和市场份额的主要优势。常见的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨头手中。
但其实国产存储芯片已经开始提速了，两大喜讯接连传来，完成了从0到1的关键突破。具体是怎样的喜讯呢？国产存储芯片产业格局如何？
存储芯片的重要性是显而易见的，手机，电脑设备想要运行文件，存储数据，那么存储芯片将会是不可或缺的存在。
根据存储芯片种类的不同，赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度，而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地，就已经是很大的突破了。
国外巨头因为起步时间早，有庞大的资本开支优势，再加上产业链发展完善，取得领先也是能理解的。但后来居上，实现反超的例子也不是没有，国产存储芯片传来两大喜讯，已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢？
第一大喜讯：昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线
对存储芯片有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是发展了几十年的存储芯片，已经发展出完整的全球化产业链，相关的技术，配套设施和人才储备也十分完善。
可是在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域， 探索 新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片，它的优势体现在读取速度快，功耗低，应用范围广阔。
昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司，其成立于2019年，在今年2月中旬正式传来消息，建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。
基于这座生产线，昕原半导体可以更快将研究成果落地，补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。
值得一提的是，在新型的ReRAM阻变存储器产业中，入局的玩家还不是很多，而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外，昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着，中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会，未来可期。
第二大喜讯：曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片
相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器，合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称，合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片，成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。
DDR5是计算机内存规格的芯片，相比于DDR4等前几代内存条，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是当下主流的高性能，高品质内存芯片。
DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中，制造出的DDR5被各国客户争相下单采购，国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。
然而喜讯传来，消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产，且还是17nm的工艺制程。在这一领域内，17nm已经是非常先进高端的水准了。
若爆料消息无误，则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外，合肥长鑫也一直在努力提升产能，得益于背后资本的支持，合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标，而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月4.5万片。
以上两个关于国产存储芯片的喜讯接踵而至，一个是昕原半导体在新型ReRAM阻变存储器建成生产线，为国产新型存储芯片产业发展提供更多的可能性。
另一个是合肥长鑫计划今年投产DDR5内存芯片，在17nm工艺的支持下，将有望拿下DDR5市场的一席之地，打破海外巨头单一市场垄断的局面。
不难发现，这两个喜讯都是实现了从0到1的突破，昕原半导体的ReRAM生产线是国内首条，合肥长鑫投产DDR5也是国内首个参与者，可见国产存储芯片已经开始提速。
其实不只是这两大国产存储芯片巨头，在其余的长江存储，福建晋华等等存储公司的参与下，构建了如今存储芯片产业快速破局的格局。他们要么是兴建生产线，要么加快技术研发突破，齐聚力量之下，相信定能为国产存储芯片创造全新的未来。
海外巨头长期耕耘技术研发和产业发展，国产企业要想加速进步，还得一步一个脚印。首先要树立发展目标，其次包括人才资源，紧接着努力将研究成果落地产业。正所谓一分耕耘一分收获，希望国产企业的耕耘都能得到应有的收获。
对国产存储芯片的两个喜讯你有什么看法呢？
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