大学里学什么专业能研究半导体芯片？毕业后好找工作吗？

引言：如果想要研究半导体芯片，在大学选择专业时，首选的是化学和微电子科学工程相关的专业，计算机科学、材料物理或者信息与通信工程以及电子科学相关的专业也可以考虑，这一类专业可以做硬件包括软件方面的研究。毕业生毕业之后最合适选择的就是芯片制造行业，国家芯片发展急缺大量人才的引进，所以如果认真的学习专业知识，毕业后可以找到很好的专业对口的工作。

半导体芯片归根结底仍然属于微电子方面的研究，如果想研究半导体芯片，可以认真地学习这个专业所教授的关于集成电路的设计和制造课程。 而计算机科学相关的专业学习范围会更加广泛，在其所学的专业之中，也有研究半导体芯片的毕业之后，可以着重投入到芯片的软件开发上去。另一方面，材料物理专业也可以是想要研究半导体芯片同学的一种选择，因为半导体芯片也属于物理方面的知识，这个专业也可以教授同学关于半导体材料和器件的物理。

化学相关的知识是用来制作芯片的原材料的，因为芯片的原材料都是沙子，利用沙子中的硅而进行高精度的芯片制作，这个过程非常的复杂，需要极其精细的步骤处理，因此需要专业人才来做。现在芯片是非常吃香的，所以芯片研究的技术人员待遇也非常的高。

从目前的芯片制造前景来看，国际上芯片发展各方面已经趋于成熟，但是在国内，中国芯片的研究仍然十分薄弱，对于国家发展来说，如果想要摆脱发达国家对于自己的技术控制，就要自己潜心研究，开创属于自己的产品，这样才能真正的站起来。政府已经进行了大量资金的投入想要助力芯片发展，因此中国的芯片发展前景非常的好，如果大学是研究芯片专业的学生，无疑说是选择了一门热门专业，毕业后可以很好的找到工作。

半导体卡脖子的是光刻机，是7nm的制程设备。工业机器人，卡脖子的是核心零部件，如减速机、伺服电机等等。经过40多年的改革开放，能快速赶超的也基本全速赶超。剩下的，需要有长久的时间沉淀，需要有静下心来做基础研究，需要准备大量以及长时间的研发投入而不准备快速收获。我觉得当代大学生。知黑守白。锻炼身体，强化理论知识，重视实践检验，然后经过5-10年的磨砺，最终在半导体或工业机器人，占有当之无愧的一个岗位。

经过近十年的发展，二维电子学已经取得了巨大进步，但在大面积单晶制备、关键器件工艺、与主流半导体技术兼容性等方面仍存在挑战。

南京大学电子科学与工程学院王欣然教授课题组聚焦上述问题，研究突破二维半导体单晶制备和异质集成关键技术，为后摩尔时代集成电路的发展提供了新思路。相关研究成果近期连续发表在Nature Nanotechnology上。

半导体单晶材料是微电子产业的基石。与主流的12寸单晶硅晶圆相比，二维半导体的制备仍停留在小尺寸和多晶阶段，开发大面积、高质量的单晶薄膜，是迈向二维集成电路的第一步。然而，二维材料的生长过程中，数以百万计的微观晶粒随机生成，只有控制所有晶粒保持严格一致的排列方向，才有可能获得整体的单晶材料。

蓝宝石是半导体工业界广泛使用的一种衬底，在规模化生产、低成本和工艺兼容性方面具有突出的优势。合作团队提出了一种方案，通过改变蓝宝石表面原子台阶的方向，人工构筑了原子尺度的“梯田”。

利用“原子梯田”的定向诱导成核机制，实现了TMDC的定向生长。基于此原理，团队在国际上首次实现了2英寸MoS2单晶薄膜的外延生长。

得益于材料质量的提升，基于MoS2单晶制备的场效应晶体管迁移率高达102.6 cm2/Vs，电流密度达到450 μA/μm，是国际上报道的最高综合性能之一。同时，该技术具有良好的普适性，适用于MoSe2等其他材料的单晶制备，该工作为TMDC在集成电路领域的应用奠定了材料基础。

大面积单晶材料的突破使得二维半导体走向应用成为可能。在第二个工作中，电子学院合作团队基于第三代半导体研究的多年积累，结合最新的二维半导体单晶方案，提出了基于MoS2 薄膜晶体管驱动电路、单片集成的超高分辨Micro-LED显示技术方案。

Micro-LED是指以微米量级LED为发光像素单元，将其与驱动模块组装形成高密度显示阵列的技术。与当前主流的LCD、OLED等显示技术相比，Micro-LED在亮度、分辨率、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有跨代优势，是国际公认的下一代显示技术。然而，Micro-LED的产业化目前仍面临诸多挑战。

首先，小尺寸下高密度显示单元的驱动需求难以匹配。其次，产业界流行的巨量转移技术在成本和良率上难以满足高分辨率显示技术的发展需求。特别对于AR/VR等超高分辨应用，不仅要求分辨率超过3000PPI，而且还需要显示像元有更快的响应频率。

合作团队瞄准高分辨率微显示领域，提出了MoS2 薄膜晶体管驱动电路与GaN基Micro-LED显示芯片的3D单片集成的技术方案。团队开发了非“巨量转移”的低温单片异质集成技术，采用近乎无损伤的大尺寸二维半导体TFT制造工艺，实现了1270 PPI的高亮度、高分辨率微显示器，可以满足未来微显示、车载显示、可见光通讯等跨领域应用。

其中，相较于传统二维半导体器件工艺，团队研发的新型工艺将薄膜晶体管性能提升超过200%，差异度降低67%，最大驱动电流超过200 μA/μm，优于IGZO、LTPS等商用材料，展示出二维半导体材料在显示驱动产业方面的巨大应用潜力。

该工作在国际上首次将高性能二维半导体TFT与Micro-LED两个新兴技术融合，为未来Micro-LED显示技术发展提供了全新技术路线。

上述工作分别以 “Epitaxial growth of wafer-scale molybdenum disulfide semiconductor single crystals on sapphire” （通讯作者为王欣然教授和东南大学王金兰教授）和 “Three dimensional monolithic micro-LED display driven by atomically-thin transistor matrix” （通讯作者为王欣然教授、刘斌教授、施毅教授和厦门大学张荣教授）为题， 近期在线发表于Nature Nanotechnology。

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