但是还要在 Z>20 上面加上 当Z>20 为 NO 时,直接跳过 dosomething4 直接进入 Y++
霍尔元件的结构及工作原理霍尔元件是根据霍尔效应进行磁电转换的磁敏元件,其典型的工作原理图如图所示。霍尔元件是一个N型半导体薄片,若在其相对两侧通以控制电流I,而在薄片垂直方向加以磁场氏 则在半导体另外两侧便会产生一个大小与电流,和磁场B的乘积成工比的电压。这个现象就是霍尔效应,所产生的电压叫霍尔电压UR.
式中:UH---霍尔电压;
RH---霍尔系数;
d---霍尔元件的厚度
I---通过霍尔元件的电流
B---加在霍尔元件上的磁场磁力线密度
f(l/w)---元件形状函数,其中L为元件的长度,W为元件的宽度。
从上面的公式可以看出,霍尔电压正比于电流强度和磁场强度,且与霍尔元件的形状有关。在电流强度恒定以及霍尔元件形状确定的条件下,霍尔电压正比于磁场强度。当所加磁场方向改变时,霍尔电压的符号也随之改变因此,霍尔元件可以用来测量磁场的大小及方向。
图:霍尔效应原理图
霍尔元件常采用锗、硅、砷化镓、砷化铟及锑化钢等半导体制作。用锑化铟半导体制成的霍尔元件灵敏度最高,但受温度的影响较大。用锗半导体制成的霍尔元件,虽然灵敏度较低,但它的温度特性及线性度较好。目前使用锑化铟霍尔元件的场合较多
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