半导体电导率计算公式

半导体电导率计算公式,第1张

如果σ是电导(单位西门子),I是电流(单位安培),E是电压(单位伏特),则:σ = I/E

电导是电阻的倒数,即 G=L/R 式中R—电阻,单位欧姆(Ω) G—电导,单位西门子(S) 1S=103mS=106µS 因R=ρL/F,代入上式,则得到: G=IF/(ρL)对于一对固定电极来讲,二极间的距离不变,电极面积也不变,因此L与F为一个常数。

令:J=L/F,J就称为电极常数,可得到 G=I2/(ρJ)式中:K=1/ρ就称为电导率,单位为S/cm。1S/cm=103mS/cm=106µS/cm。

电导率K的意义就是截面积为lcm2,长度为lcm的 导体的电导。当电导常数J=1时,电导率就等于电导,电导率是不同电解质溶液导电能力的表现。

电导率K,电导G,电阻率ρ三者之间的关系如下: K=JG=I/ρ 式中J为电极常数,例如:电导率为O.1µS/cm的高纯水,其电阻率应为: ρ=I/K=1/0.1×106=10MΩcm。

半导体抗震计算公式:

1、S=γG.SGE+γEhSEhk+γEvSEvk+ψwγwSwk。

2、式中,γG——重力荷载分项系数,γEh、γEv——分别为水平、竖向地震作用分项系数,γw——风荷载分项系数,SGE——重力荷载代表值的效应。

3、SEhk——水平地震作用标准值的效应,SEvk——竖向地震作用标准值的效应,Swk——风荷载标准值的效应,ψw——风荷载的组合系数。


欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/6263796.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2023-03-19
下一篇 2023-03-19

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存