从电子填充的角度:由于电子能级填充满足费米狄拉克分布,那么大于0K情况下填充概率为0.5时的能量就是费米能级。这是半导体中常用考虑的角度。
接触时由于电子能量的差异,电子会从费米能级高的地方流向费米能级低的地方。那么,费米能级低的地方由于负电势-V的存在,整体能量上升U=(-e)(-V)=eV,直到费米能级平齐,此时接触电势差V等于功函数之差。
当接触时费米能级对齐,半导体的结区能带弯曲。能带弯曲同样可以有两种理解方式:
从能量的角度:
从电子填充的角度:假设电子从半导体跑向金属表面,半导体表面电荷减少导致费米能级会更接近于价带。也就是说导带和价带会往上弯曲。
从能量的角度:正电荷分布于半导体表面,建立一个从半导体体内到界面的电场,因此表面电势相对于体内更低,能带向上弯曲。
请再把你要问的问题说清楚."也一起随着上升或下降了",这句话,不能理解.你前面说的对呀,存在电场就是有附加势能.重复一下你的反例? 电场能够使空间电势变化,没有电场电势不变化.电势的绝对值是没有意义的,所以半导体中无电场部分必然是"近邻"半导体区域中电势的延伸(就是和最近邻等势),所以由于结中电势的变化,导致pn两侧产生电势差.而"结"是维持两侧电势差的原因.所以你的理解,有电场电势才变化,本身是对的,但你用错了,因为这意味着无电场电势不变化,变化指的是,都无电场的那部分区域的电势比较,无变化.欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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