半导体杂质高度补偿怎样检验?

你这个问题提得很好.

因为高度补偿半导体的有效载流子浓度很低,类似于本征半导体,所以采用常规的三探针技术、四探针技术等测量电阻的方法是无效的,就是采用电容-电压技术等也都不能很好检测出来.因此,只有采用光吸收等光学技术才有可能检测出杂质.

载流子浓度单位是个／每立方米，或者写成／m³,（其中m³可以换成立方厘米）。

定义：

单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度。

处于热平衡状态的半导体，在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度称为平衡载流子浓度。

平衡电子浓度和空穴浓度，在非简并情况下，它们的乘积满足n0p0=ni2。

载流子

在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。

在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。

金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在电场作用下能作定向运动的带电粒子。

如半导体中的自由电子与空穴，导体中的自由电子，电解液中的正、负离子，放电气体中的离子等。

300K。

半导体材料中的载流子浓度直接决定着半导体的导电能力，因此要制造出符合要求的半导体器件，必须定量地研究载流子浓度的影响因素，半导体中有空穴和电子两种载流子，半导体中的电流是这两种载流子定向移动形成的电流之和。

载流子浓度注意事项

对于电子，当能量增大时，由于费米-狄拉克函数迅速趋于零，因此可将积分上限设定为+∞而不必使用导带顶能量。空穴同理反之。

半导体：0K时，价带被电子填满，导带空白，且禁带较窄的晶体是半导体。半导体在常温（例如300K）时就有一定量电子在导带中，温度升高时，更多电子受激跃入导带，导电能力明显增强。

---